[实用新型]一种前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置有效

申请号：	202120684390.4	申请日：	2021-04-02
公开（公告）号：	CN216663231U	公开（公告）日：	2022-06-03
发明（设计）人：	蔡志隆;刘崇志	申请（专利权）人：	泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
主分类号：	C23C16/48	分类号：	C23C16/48;C23C16/34;C23C16/448
代理公司：	厦门市新华专利商标代理有限公司 35203	代理人：	罗恒兰
地址：	中国台湾新竹县竹***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本实用新型涉及一种前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置，包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本实用新型通过激光镜头模块对基础材料表前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置，其包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态涂料雾化并预先混合成反应前驱体，反应前驱体自出料孔喷射到加热后的基础材料表面反应形成氮化钽。本实用新型可在大气下工作，对环境要求低，成膜质量高；克服了现有工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使得氮化钽成膜工艺变成一种简易的喷涂工艺，极大地降低了设备成本，而且便于操作实施。
搜索关键词：	一种前驱体涂布激光制备氮化装置
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摘要：本发明公开一种用于在衬底上沉积层的系统，其包含处理室，所述处理室界定用于将气体引入到所述处理室中的进气口及允许所述气体离开所述处理室的出气口。衬底支撑件定位于所述处理室内且经配置以接收衬底。透明上窗口包含与所述衬底支撑件间隔以在其之间界定气隙的凸形第一面。所述上窗口定位于所述处理室内以引导所述气体从所述进气口通过所述气隙而到所述出气口。所述第一面包含径向外表面及外接于所述外表面内的径向内表面。所述外表面具有第一曲率半径，且所述内表面具有不同于所述第一曲率半径的第二曲率半径。

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摘要：本实用新型提供了一种用于半导体处理腔的上盖，半导体处理腔的上部包括开孔，开孔上设置上盖，上盖与半导体处理腔形成处理空间，承压壳体包围至少部分上盖，当上盖设置在开孔上时，上盖具有一朝向处理空间的下表面和一朝向密闭空间的上表面，上盖包括：窗口和环绕窗口的外沿，窗口包括窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，窗口边缘区与外沿连接，窗口中心区的下表面与窗口边缘区的下表面的最大高度差大于28毫米小于等于50毫米，窗口边缘区的下表面具有第一斜面，第一斜面的两端分别与外沿的下表面和窗口中心区的下表面相连。所述上盖既能够保证半导体处理腔内气流的稳定性，又能够承受其内外的压强差。

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申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本发明涉及前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置及方法，装置包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本发明通过激光镜头模块对基础材料表面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态的有机铵钽雾化并预先混合成前驱体，前驱体喷射到加热后的基础材料表面反应形成氮化钽。在前驱体喷出时，在其外围喷出保护气体形成一圈高压的保护屏蔽，抑制前驱体的流失，避免涂料浪费，还可以阻隔外围空气的氧分子参与前驱体成膜反应，有效降低氧化物的形成，成膜质量高。本发明克服了现有氮化钽成膜工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使之变成一种简易的喷涂工艺，降低了设备成本，且便于操作。

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发明人：蔡志隆;刘崇志 -专利权人：泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本实用新型涉及一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置，包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本实用新型通过激光镜头模块对待覆膜材料表面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态的有机铵钽雾化并预先混合成前驱体，前驱体喷射到加热后的待覆膜材料表面反应形成氮化钽。在前驱体喷出时，在其外围喷出保护气体形成一圈高压的保护屏蔽，抑制前驱体的流失，避免源料浪费，还可以阻隔外围空气的氧分子参与前驱体成膜反应，有效降低氧化物的形成，成膜质量高。本实用新型克服了现有氮化钽成膜工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使之变成一种简易的喷涂工艺，降低了设备成本，且便于操作。

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申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本实用新型提供了一种红外加热装置及炉管，其中红外加热装置包括加热管、连接件以及石英套管；其中加热管设置于石英套管内，加热管与石英套管通过连接件连接；通过采用加热管，实现炉管内迅速升温，另外在加热管的外侧套接石英套管形成隔绝，使加热管不会与炉门内的反应气体直接接触，延长加热管的使用寿命。

一种前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置-202120684390.4
发明人：蔡志隆;刘崇志 -专利权人：泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本实用新型涉及一种前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置，包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本实用新型通过激光镜头模块对基础材料表前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置，其包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态涂料雾化并预先混合成反应前驱体，反应前驱体自出料孔喷射到加热后的基础材料表面反应形成氮化钽。本实用新型可在大气下工作，对环境要求低，成膜质量高；克服了现有工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使得氮化钽成膜工艺变成一种简易的喷涂工艺，极大地降低了设备成本，而且便于操作实施。

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摘要：本发明公开了利用高分子辅助沉积法制备LaNiO3外延导电薄膜的方法，涉及导电薄膜技术领域，包括以下步骤：步骤S1：原料的准备；步骤S2：预处理，衬底清洗；衬底切片；步骤S3：前驱体制备，将步骤S1中的所述La源和所述Ni源进行混合、干燥、压制、一次煅烧和二次煅烧；步骤S4：放置和准备；步骤S5：制备；步骤S6：退火工艺；步骤S7：质检，对薄膜的质量进行检查，将结果数据进行统一和整合。本发明具备了通过脉冲激光沉积法，并辅以高分子材料的添加可提高原料的混合效果，使得制备后的导电薄膜具有优良的导电性能，和工艺简便，其表面粗糙度较小，具有实用性更佳的效果。

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摘要：本发明涉及气相沉积技术领域，具体涉及一种使用真空紫外光实现气相沉积中不同粒子可控离化的方法，使用真空紫外光对气相沉积过程中的气相粒子(或固相靶材表面的原子)进行光电电离，从而针对不同种类的粒子，设计不同的离化率调控方案，实现薄膜显微组织结构、化学成分等的针对性精准调控，进一步显著的优化多层结构、梯度结构、纳米复合结构等气相沉积薄膜的性能/功能，如：机械性能、力学性能、摩擦学性能、光学性能、电学性能、磁学性能、介电性能、半导体带隙及特性等各类性能/功能，因此具有不可替代的重要意义。

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摘要：本实用新型公开了属于晶体硅太阳能电池设备制造技术领域的一种新型的炉内加热装置，包括发出红外光源的加热灯管，加热灯管的端部连接有电源线，加热灯管的外部设有套管，套管的壁厚从电源线所在一端至另一端依次减小。本实用新型加热灯管的外部设有套管，套管的壁厚从电源线所在一端至另一端依次减小，实现控制热辐射效果的目的，套管远离电源线一端的壁厚薄，热辐射速率快，达到升温速率上升快的效果，从而来改善PECVD炉口镀膜效果；本实用新型加热灯管内部电阻丝的密度从电源线所在一端至另一端依次减小，通过控制加热灯管内部电阻丝的密度，实现功率密度由一端至另一端逐渐降低，可以保证管内各温区加热温度均衡。

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用于等离子体处理系统中的温度控制的系统和方法-201780031279.1
发明人：安东·J·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本文中的技术包括用于对基板上的温度分布进行精细控制的系统和方法，这些技术可以用于提供均匀的空间温度分布或偏压的空间温度分布，以改善基板的等离子体处理和/或校正给定基板的特征，实施方式包括带有温度控制的等离子体处理系统，本文中的温度控制系统包括用以加热基板的第一加热机构和精确修改正被处理的基板上的空间温度分布的第二加热机构，至少一个加热机构包括数字投射系统，该数字投射系统配置成将电磁辐射图案投射到基板上或基板中，或者将电磁辐射图案投射穿过基板并投射到基板支承组件上，数字投射系统配置成在空间上动态地调节电磁辐射图案并通过每个投射点位置选择性地增强对基板的加热。

断线修复装置及断线修复装置调试方法-202011547873.6
发明人：陈少甫 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本申请提供一种断线修复装置及断线修复装置调试方法，所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元，使用所述断线修复装置对基板进行镀膜操作时，所述阻值测试单元可随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试，而无需移动基板，相较于现有技术，减小了基板转运的时间，提高了断线修复装置的调试效率和断线修复效率。

化学气相沉积装置及其温度控制方法-202011521742.0
发明人：吴铭钦;刘峰 -专利权人：苏州雨竹机电有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本发明公开一种化学气相沉积装置及其温度控制方法，化学气相沉积装置包括一基板座、一主加热系统及一辅助加热系统。该辅助加热系统可以让基板座上的基板的温度快速地上升，因此在需要反复切换两种温度的情况下，该辅助加热系统可以缩短制程所需的时间。

微米晶气相生长装置-202020790915.8
发明人：蒋毅坚;廖逸民;闫胤洲;王强;涂冶 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本实用新型实施例涉及晶体材料生长技术领域，提供了一种微米晶气相生长装置。微米晶气相生长装置包括：反应腔，反应腔内设置有原料棒；光束整形元器件，每个光束整形元器件上安装有激光输出头，多个光束整形元器件围绕反应腔设置并朝向原料棒定位；其中，原料棒的顶端位于经由多个光束整形元器件调整后汇聚形成的激光聚焦光斑处。本实用新型实施例提供的微米晶气相生长装置，通过设置光束整形元器件实现了光强分布的精确调控，同时将分散的光束调整成准直光束，通过多个光束整形元器件的光束聚焦，实现了聚焦光斑形状；通过设置激光输出头，将热源改为激光，增大了热源的加热功率，可实现高分解温度微米晶的生长，显著地提高了微米晶的生长速度。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[实用新型]一种前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置有效

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