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[发明专利]化学气相沉积装置及其用途-CN201710919181.1有效
发明人：马尔科姆·约翰·哈里斯;彼得·罗埃尔弗·维尼玛;马滕·罗纳德·雷内斯;约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯 -专利权人： 泰姆普雷斯艾普公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本申请公开了化学气相沉积装置及其用途。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置包括配置用于具有基板的晶圆舟(10)的管状室(100)。PECVD装置还包括布置在室外侧并被配置用于借助于辐射来发射热的加热工具(110)、以及用于控制室(100)内部的包括温度和组成的状态的控制器。在这里，加热工具(110)配置用于根据在室内的径向变化剖面来提供辐射，该径向加热剖面包括第一径向区(I)和第二径向区(II)，并且其中在第一径向区(I)中的热通量(FI)高于在第二径向区中的热通量(FII)。
化学沉积装置及其用途

[发明专利]制造钝化太阳能电池的方法及所得的钝化太阳能电池-CN201880010666.1在审
发明人：罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔;约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯;马泰恩·莱内斯 -专利权人： 泰姆普雷斯艾普公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：制造钝化太阳能电池的方法包括以下步骤：(1)在半导体衬底的设置有纹理化表面的第一侧面上提供导电区域，该导电区域包括p型电导率的掺杂剂原子，特别是硼；(2)通过施加隧道电介质层和多晶硅层并进行退火以便将掺杂剂原子从导电区域扩散到多晶硅层中来提供钝化层。氢化氮化硅或氮氧化硅层可以存在于多晶硅层的顶部上。所形成的太阳能电池具有显著增加的电荷载流子寿命，并因此提高了开路电压。
钝化太阳能电池导电区域多晶硅层掺杂剂原子氮化硅或氮氧化硅电荷载流子寿命退火隧道电介质层电导率纹理化表面太阳能电池开路电压钝化层衬底氢化半导体制造施加扩散侧面

[发明专利]晶圆夹持器组件、系统及其用途-CN201810576194.8在审
发明人：彼得·罗埃尔弗·维尼玛;马滕·罗纳德·雷内斯;罗纳德·亨利卡·玛丽亚·范迪克;约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯 -专利权人： 泰姆普雷斯艾普公司;索雷泰克私人有限责任公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开了晶圆夹持器组件、系统及其用途。晶圆夹持器组件设置有至少一个晶圆夹持器(50)，该晶圆夹持器包括基座(51)和桥接元件(52)；真空装置，其包括用于施加负压的软管(53)和至少一个抽吸区域(54)，被配置用于借助于所施加的负压保持晶圆(10)；框架(60)，其联接到桥接元件(52)。框架(60)设置有被配置用于接触晶圆舟的定位装置(57)，以便将晶圆定位在距晶圆舟的预定距离处。在框架(60)与桥接元件(52)或包括抽吸设备(54)的保持板(70)之间存在弹性联接件(56)，如果存在这样的保持板的话。
晶圆夹持器组件桥接元件夹持器负压施加弹性联接件抽吸区域抽吸设备定位装置晶圆定位预定距离真空装置软管配置申请

[发明专利]制造太阳能电池的方法-CN201680058097.9在审
发明人：罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 -专利权人： 泰姆普雷斯艾普公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：用于制造太阳能电池的工艺提供基于在诸如隧道氧化物的隧道电介质上的多晶硅层(5)的层的所谓的钝化触点。这里，对如通过离子注入沉积的多晶硅层进行处理以便使其非晶化。该离子注入同时允许提供掺杂的区域(6)，特别是磷的掺杂的区域。然后通过蚀刻去除选择性再结晶的区域和未处理的区域，包括在衬底(1)的第一侧面(1a)处非故意地沉积的多晶硅。在该提供图案化的和离子注入的多晶硅层之前或之后可以进行另外的工艺步骤，以便例如提供具有金属穿孔卷绕(MWT)结构的电池。
多晶硅层离子太阳能电池掺杂的沉积蚀刻隧道电介质隧道氧化物工艺步骤金属穿孔多晶硅非晶化图案化未处理再结晶衬底触点钝化卷绕去除制造电池侧面

[发明专利]制造太阳能电池的方法-CN201380015784.9有效
发明人：罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 -专利权人： 泰姆普雷斯艾普公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及由第一传导型半导体基板制造太阳能电池的方法，该半导体基板具有正面和背面，该方法按该顺序包括通过第二传导型掺杂物的扩散创建正面和背面中的第二传导型掺杂层，在扩散期间形成正面和背面上的包含掺杂物的玻璃层；通过单面蚀刻工艺从背面除去第二传导型的掺杂层和包含掺杂物的玻璃层，同时在正面中保留包含掺杂物的玻璃层；通过将第一传导型的掺杂物植入到背面中来创建背面上的第一传导型的背面场(BSF)层；通过蚀刻工艺从所述基板的正面除去包含掺杂物的玻璃层；通过在氧化气氛中以预定的一段时间加热所述基板并加热到预定的温度进行表面氧化以形成正面和背面上的钝化层。
制造太阳能电池方法

[发明专利]制造太阳能电池的方法及其设备-CN201380017340.9有效
发明人：罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔 -专利权人： 泰姆普雷斯艾普公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制造太阳能电池的方法，其包括有着第一侧(1a)和相对的第二侧(1b)的半导体基板(1)，在所述第一侧处选择性界定掺杂第一导电类型的电荷载子的活性区域。该方法包括在植入步骤中通过离子植入以诱使表面非晶化的剂量水平将所述电荷载子引入基板中所述第一侧(1a)上，于是形成非晶化区域。在那之后，在非晶化区域的部分中选择性再结晶材料来界定第一、再结晶的子区域(5)，所述非晶化区域的剩余部分界定第二子区域(15)。接着，至少部分去除所述第一子区域(5)的再结晶材料，于是创建选择性界定的活性区域并且在至少部分去除的第一子区域(5)和第二子区域(15)之间引入表面拓扑结构。还提供一种用于执行所述方法的装置和产生的有着表面拓扑结构的太阳能电池。
制造太阳能电池方法及其设备

[发明专利]制造太阳能电池的方法和由此得到的太阳能电池-CN201380030185.4有效
发明人：罗纳德·科内利斯·杰拉德·纳贝尔;约翰尼斯·莱茵德·马克·卢奇斯 -专利权人： 泰姆普雷斯艾普公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池的制造包括通路孔(2)的蚀刻，该通路孔(2)具有锥形形状，使得在衬底(1)的预期作为主面以用于捕获入射光的第一面(1a)处的直径(A)大于在衬底(1)的第二面(1b)处的直径(B)。第一掺杂区域(3)延伸到通路孔(2)中的第一表面(11)。第二掺杂区域(5)存在于衬底(1)的第二表面(1b)处并且适合地通过离子注入形成。产生的太阳能电池具有通过通路孔(2)中的第二表面(12)在第一掺杂区域(3)和第二掺杂区域(5)之间的适当的隔离，并且适合地在第一掺杂区域(3)和衬底(1)中的掺杂剂之间设置有深的结。
制造太阳能电池方法由此得到

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