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[发明专利]一种碳化硅单晶锭生长设备及方法-CN202110416789.9有效
发明人：叶宏伦;蔡斯元;蔡期开;洪天河;钟其龙;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅单晶锭生长设备及方法，设备包括投料装置、预热处理装置、升华分离装置和晶锭生长装置；所述投料装置、预热处理装置和升华分离装置在竖直方向依次连通，升华分离装置和晶锭生长装置在水平方向连通。本发明可以实现晶锭生长过程中的不间断加料，为制备大尺寸晶锭提供充足的源料准备。将颗粒粉状的源料移动式加热，可以避免源料的石墨陶瓷化，避免生长源枯竭，利于制备大尺寸晶锭。另外，系统回收晶锭生长过程中的碳化硅固定物质和气相物质，经过简单处理即可重复利用，生产源料成本低，此外，本发明没有复杂的机械设计，设备成本低，尤为适用于大尺寸晶锭生长，产品更具竞争力。
一种碳化硅单晶锭生长设备方法

[发明专利]前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置及方法-CN202110362659.1有效
发明人：蔡志隆;刘崇志 -专利权人：泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本发明涉及前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置及方法，装置包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本发明通过激光镜头模块对基础材料表面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态涂料雾化并预先混合成反应前驱体，反应前驱体自出料孔喷射到加热后的基础材料表面反应形成氮化钽。本发明的实施方法通过交替的供给液体涂料参于反应，可以提高氮化钽薄膜中的钽、氮的占比，从而得到质量优良的氮化钽薄膜。本发明可在大气下工作，对环境要求低，成膜质量高；克服了现有工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使得氮化钽成膜工艺变成一种简易的喷涂工艺，极大地降低了设备成本，而且便于操作实施。
前驱体涂布激光制备氮化装置方法

[发明专利]用于碳化硅单晶生长的碳化硅粉体的制备方法-CN202110126924.6有效
发明人：徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的碳化硅粉体的制备方法，其针对市面可采购的高纯度β碳化硅粉体通过进一步的热处理，经过热处理工序的高纯度β碳化硅粉末有效的转化为α碳化硅粉末，而α‑碳化硅具有合适的计量成分，适合作为晶体生长原料，以最大限度地减少多孔粉末的影响，并最大限度地提高晶体粉末在生长晶体的效果。本发明的优化热处理最佳温度曲线，时间不足或温度太低不能完金消除原粉体中的自由金属硅和粉末中的多孔粉末；反之时间太长或太高会造成粉末石墨化。
用于碳化硅生长制备方法

[外观设计]游乐设施（书香记忆户外拓展乐园）-CN202230572978.0有效
发明人：肖阳;施雯;付学文;张新智;王迪;曾凡;刘崇志;刘欢;王飞;周立;单博;王予非 -专利权人：深圳奥雅设计股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： 21-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：游乐设施（书香记忆户外拓展乐园）。2.本外观设计产品的用途：用于儿童娱乐玩耍的游乐设施。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
游乐设施书香记忆户外拓展乐园

[发明专利]前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置及方法-CN202110362614.4有效
发明人：蔡志隆;刘崇志 -专利权人：泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本发明涉及前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置及方法，装置包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本发明通过激光镜头模块对基础材料表面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态的有机铵钽雾化并预先混合成前驱体，前驱体喷射到加热后的基础材料表面反应形成氮化钽。在前驱体喷出时，在其外围喷出保护气体形成一圈高压的保护屏蔽，抑制前驱体的流失，避免涂料浪费，还可以阻隔外围空气的氧分子参与前驱体成膜反应，有效降低氧化物的形成，成膜质量高。本发明克服了现有氮化钽成膜工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使之变成一种简易的喷涂工艺，降低了设备成本，且便于操作。
前驱体涂布气体保护激光制备氮化装置方法

[发明专利]一种碳化硅单晶体的生长方法-CN202110125864.6有效
发明人：徐洙莹;金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅单晶体的生长方法，其对碳化硅粉体进行了一次热处理，然后加入一定量的硅粉，并进行第二次热处理，再以硅/碳化硅粉体为源料进行碳化硅单晶体生长。本发明的关键是采取热处理硅/碳化硅粉体，从而有效提高硅的占比，进而提高碳化硅单晶体的氮掺杂浓度。
一种碳化硅单晶体生长方法

[实用新型]一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置-CN202220767801.0有效
发明人：蔡志隆;刘崇志 -专利权人：泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置，包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本实用新型通过激光镜头模块对待覆膜材料表面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态的有机铵钽雾化并预先混合成前驱体，前驱体喷射到加热后的待覆膜材料表面反应形成氮化钽。在前驱体喷出时，在其外围喷出保护气体形成一圈高压的保护屏蔽，抑制前驱体的流失，避免源料浪费，还可以阻隔外围空气的氧分子参与前驱体成膜反应，有效降低氧化物的形成，成膜质量高。本实用新型克服了现有氮化钽成膜工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使之变成一种简易的喷涂工艺，降低了设备成本，且便于操作。
一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化装置

[发明专利]一种超级结功率器件的制备方法-CN202110076522.X有效
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结功率器件的制备方法，其通过热扩散工艺将第二外延层的掺杂质扩散进入第一外延层中，从而得到超级结；本发明能有效提高超级结功率器件的耐压值并降低导通电阻。
一种超级功率器件制备方法

[实用新型]一种前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置-CN202120684390.4有效
发明人：蔡志隆;刘崇志 -专利权人：泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置，包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本实用新型通过激光镜头模块对基础材料表前驱体涂布激光制备氮化钽膜装置，其包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态涂料雾化并预先混合成反应前驱体，反应前驱体自出料孔喷射到加热后的基础材料表面反应形成氮化钽。本实用新型可在大气下工作，对环境要求低，成膜质量高；克服了现有工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使得氮化钽成膜工艺变成一种简易的喷涂工艺，极大地降低了设备成本，而且便于操作实施。
一种前驱体涂布激光制备氮化装置

[实用新型]一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构-CN202121941707.4有效
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上形成沟槽，并在沟槽内设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构

[实用新型]一种碳化硅MPS二极管结构-CN202121941689.X有效
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上方设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种碳化硅 mps 二极管结构

[实用新型]一种固体物质的移动加热装置-CN202120795660.9有效
发明人：叶宏伦;蔡斯元;蔡期开;洪天河;钟其龙;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H05B3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种固体物质的移动加热装置，包括自上而下依次连接的预热填料槽、投料阀和螺旋加热器；所述预热填料槽由固体导电材料制成，其上下两端分别连接第一交流电源的两极；所述螺旋加热器包括圆管以及螺旋体，所述螺旋体由固体导电材料制成，其上下两端分别连接第二交流电源的两极。本实用新型通过与预热填料槽对颗粒状的固体物质预热，以减缓后段加热的依赖，通过投料阀定量地向螺旋加热器中投料，固体物质在重力作用下沿着螺旋体旋转向下并排出。固体物质在预热填料槽和螺旋加热器中，直接通过热传导的方式加热，而且定量地在螺旋加热器中移动，固体物质受热更均匀。另外，本实用新型的各部件易于加工和采购，机构简单，设备成本低。
一种固体物质移动加热装置

[外观设计]游乐设施（鸟峪探秘户外拓展森林）-CN202130532808.5有效
发明人：肖阳;张新智;施雯;周立;刘崇志 -专利权人：深圳奥雅设计股份有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： 21-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：游乐设施（鸟峪探秘户外拓展森林）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于供人游玩的户外游乐设施。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.本外观设计产品的仰视图为不常见面，省略仰视图。
游乐设施探秘户外拓展森林

[实用新型]一种氮化钽覆膜钢材料的制备装置-CN202120685290.3有效
发明人：蔡志隆;刘崇志 -专利权人：泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化钽覆膜钢材料的制备装置，其包括反应室、感应加热系统、集液槽以及抽气注气系统；反应室包括反应槽、盖盘、第一盖帽和第二盖帽，反应槽由绝缘材料制成；盖盘盖住反应槽并密封连接，盖盘上设有一大圆孔；第一盖帽和第二盖帽不同时使用，第一盖帽和第二盖帽均可与大圆孔密封连接；第一盖帽上设有阳极联接头和钽电极，阳极联接头与钽电极连接，且钽电极可伸入到反应槽中；盖盘或反应槽上设有可连通反应槽内部的阴极联接头；第二盖帽上设有气管，气管通过冷凝管连通集液槽或管道连通抽气注气系统；感应加热系统围绕反应槽的外周设置。本实用新型设备、源料成本低，操作简单，钢材料表面氮化钽薄膜均匀完整且质量好。
一种氮化钽覆膜钢材制备装置

[实用新型]一种真空连续投料装置-CN202120795564.4有效
发明人：叶宏伦;蔡斯元;蔡期开;洪天河;钟其龙;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B65G65/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种真空连续投料装置，其包括料槽、料盖以及真空泵系统；所述料槽呈斗状，料槽的上端开口为进料口，料槽的下端开口为出料孔，所述出料孔依次连接出料阀、真空开关阀和晶锭生长装置的进料孔；所述料盖封堵进料口；所述真空泵系统通过管道连通料槽内部。本实用新型通过料盖将料槽的进料口封堵，通过出料阀将料槽的出料孔闭合使得源料不会掉落污染真空开关阀，而真空开关阀更进一步地密封隔绝开料槽和晶锭生长装置，使得料槽的槽内形成了独立的封闭空间，再通过真空泵系统对这个封闭空间进行抽真空直至符合要求，可以打开真空开关阀进行真空投料。本实用新型结构简单便于操作，可以在不干扰晶锭生产的前提下完成连续真空投料。
一种真空连续投料装置

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