[发明专利]一种半导体结构及其制备方法、三维器件在审
| 申请号： | 202111458701.6 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114388464A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 焦斌斌;贾士奇;刘瑞文;孔延梅;云世昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开半导体结构及其制备方法、三维器件，涉及三维器件技术领域，用于提供一种具有低残余应力的通孔结构的技术方案。所述半导体结构包括：半导体基底；所述半导体基底中形成有纺锤状通孔结构，所述纺锤状通孔结构包括多个纺锤状通孔；形成在每个所述纺锤状通孔的侧壁上的叠层结构；以及填充在每个所述纺锤状通孔内的金属互连结构，其中，所述金属互连结构与所述叠层结构相接触，所述金属互连结构的顶部与底部具有实心结构，所述金属互连结构的中间部分具有真空空心结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 三维 器件 | ||
【主权项】：
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