[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
申请号: | 202111277423.4 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN116072633A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 刘继全 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张瑞;唐嘉 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:衬底,衬底包括第一区和第二区;位于衬底上的第一介质结构;位于第一介质结构上的第二刻蚀停止层,第二刻蚀停止层内具有第一开口;位于第一开口内和第二刻蚀停止层上的第二介质层;位于第一介质结构和第二介质层内的第二开口;位于第二介质层内的第三开口;位于第二开口内的第二导电插塞;位于第三开口内的第三导电插塞。由于选择性金属生长工艺中采用金属不易扩散,进而在形成第二导电插塞和第三导电插塞之前不需要再形成阻挡层。另外,第二开口为整体结构,使得位于第一介质结构内的第二导电插塞和位于第二介质层内的第二导电插塞的连接性更好,进而降低了第二导电插塞自身内部的接触电阻。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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