[发明专利]半导体封装在审
| 申请号： | 202111134880.8 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114725046A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 郑显秀;浏太元;郑命杞;安镇灿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/64;H01L23/31;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体封装，包括半导体芯片和再分布层。半导体芯片包括半导体衬底、钝化层、以及从钝化层暴露出的第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。再分布层包括光敏介电层以及光敏介电层中的第一再分布图案至第三再分布图案和高k介电图案。第一再分布图案、第二再分布图案和第三再分布图案分别连接到第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。高k介电图案在第一再分布图案和第二再分布图案之间。光敏介电层包括第一介电材料。高k介电图案包括介电常数大于第一介电材料的介电常数的第二介电材料。高k介电图案与钝化层接触。钝化层包括与第一介电材料和第二介电材料不同的介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111134880.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
