[发明专利]半导体封装在审
| 申请号： | 202111134880.8 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114725046A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 郑显秀;浏太元;郑命杞;安镇灿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/64;H01L23/31;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装，包括：
半导体芯片；以及
再分布层，在所述半导体芯片的表面上，
其中，所述半导体芯片包括：
半导体衬底；
钝化层，在所述半导体衬底和所述再分布层之间；以及
第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘，在所述钝化层中，
其中，所述再分布层包括：
光敏介电层；以及
第一再分布图案、第二再分布图案、第三再分布图案和高k介电图案，其中，所述第一再分布图案电连接到所述第一电源焊盘，所述第二再分布图案电连接到所述第二电源焊盘，所述第三再分布图案电连接到所述信号焊盘，并且所述高k介电图案在所述第一再分布图案和所述第二再分布图案之间，
其中，所述光敏介电层包括第一介电材料，
其中，所述高k介电图案包括第二介电材料，
其中，所述第二介电材料的第二介电常数大于所述第一介电材料的第一介电常数，
其中，所述高k介电图案与所述钝化层接触，并且
其中，所述钝化层包括与所述第一介电材料和所述第二介电材料不同的第三介电材料。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述钝化层包括氮化硅SiNx。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，
其中，所述第一介电材料的第一介电常数小于4，并且
其中，所述第二介电材料的第二介电常数大于20。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二介电材料包括氧化铪HfO2、氧化锆ZrO2或氧化钇Y2O3中的一种。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，
其中，所述第一电源焊盘通过所述第一再分布图案电连接到所述半导体封装外部的电源，
其中，所述第二电源焊盘通过所述第二再分布图案电连接到所述半导体封装外部的地，并且
其中，所述信号焊盘通过所述第三再分布图案电连接到所述半导体封装外部的电路结构。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布图案被配置为接收第一电压，所述第一电压与由所述第二再分布图案接收到的第二电压不同。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一介电材料包括选自光敏聚酰亚胺、聚苯并恶唑、酚醛聚合物或苯并环丁烯聚合物的至少一种。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一再分布图案和所述第二再分布图案与所述钝化层接触。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述高k介电图案的厚度小于或等于1μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111134880.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
