[发明专利]半导体外延片及其制备方法、微波通讯电晶体在审
| 申请号： | 202111101123.0 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113823556A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 杨翠柏 | 申请（专利权）人： | 深圳市中科芯辰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 程晓 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体外延片及其制备方法、微波通讯电晶体。所述半导体外延片包括基板和半导体层。所述基板为半绝缘化合物半导体基板。所述半导体层为高阻值半导体外延层，所述半导体层在含氧原子的气体氛围中生长。本申请提供的半导体外延片能够改善基板与缓冲层界面中的杂质造成的漏电流。本申请提供的高阻值半导体外延片形成晶体管时具有较好的装置稳定性与再现性，可以广泛应用于微波通讯电晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 及其 制备 方法 微波 通讯 电晶体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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