[发明专利]半导体外延片及其制备方法、微波通讯电晶体在审
| 申请号： | 202111101123.0 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113823556A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 杨翠柏 | 申请（专利权）人： | 深圳市中科芯辰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 程晓 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 及其 制备 方法 微波 通讯 电晶体 | ||
1.一种半导体外延片，其特征在于，包括：
基板，所述基板为半绝缘化合物半导体基板；以及
半导体层，所述半导体层为高阻值半导体外延层，所述半导体层在含氧原子的气体氛围中生长。
2.根据权利要求1所述的半导体外延片，其特征在于，所述基板为Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体基板。
3.根据权利要求1所述的半导体外延片，其特征在于，所述半导体层来自于Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体中的一种或者Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体中任意至少两种的组合。
4.根据权利要求3所述的半导体外延片，其特征在于，所述半导体层来自于砷化镓、砷化铝镓、磷化铝铟镓、磷砷化铝镓、磷化铟镓、磷化铝铟中的一种或者至少两种的组合。
5.根据权利要求1所述的半导体外延片，其特征在于，所述半导体层的厚度为50nm～5000nm。
6.根据权利要求1所述的半导体外延片，其特征在于，所述含氧原子的气体氛围为乙氧基二乙基铝、乙氧基砷、氧气中的任意一种气体氛围或者多种气体的组合气体氛围。
7.一种半导体外延片的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板和反应腔室，所述基板为半绝缘化合物半导体基板；
向所述反应腔室中通入含氧原子的反应气体；
在持续通入含氧原子的反应气体的情况下，采用有机金属气相沉积的方法外延生长半导体层。
8.根据权利要求7所述的半导体外延片的制备方法，其特征在于，所述含氧原子的反应气体为乙氧基二乙基铝、乙氧基砷、氧气中的任意一种反应气体或者多种反应气体的组合；所述含氧原子的反应气体的通入时间5s～30min范围内。
9.根据权利要求8所述的半导体外延片的制备方法，其特征在于，所述半导体层为Ⅲ/Ⅴ族化合物形成的n型硅原子掺杂的半导体层；
在乙氧基砷的所述反应气体中，所述半导体层经过有机金属气相沉积形成高阻值半导体层。
10.一种微波通讯电晶体，其特征在于，所述微波通讯电晶体为异质结双极晶体管、场效应晶体管、假晶形高电子迁移率晶体管或上述任意两种晶体管组合而成的复合型晶体管；
所述微波通讯电晶体中包括如权利要求1-6中任一项所述的半导体外延片。
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