[发明专利]半导体结构的制作方法及其结构在审
| 申请号： | 202110931845.2 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN116133369A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 卢经文 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及结构，包括提供衬底、有源区以及隔离结构；图形化有源区以及隔离结构，形成字线沟槽，字线沟槽侧壁露出有源区以及隔离结构；对字线沟槽侧壁露出的有源区以及隔离结构进行至少一次圆滑化处理，以使剩余有源区及隔离结构具有第一高度差；圆滑化处理包括：刻蚀字线沟槽侧壁露出的隔离结构，以使隔离结构露出第一厚度的有源区；对露出的有源区进行氧化处理，以将第二厚度的有源区转化为氧化层，且氧化层在衬底表面的正投影的形状为台阶状；去除氧化层；在形成第一高度差之后，形成填充满字线沟槽的字线，本申请实施例通过形成有源区与隔离结构的高度差从而形成性能更优的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
暂无信息
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