[发明专利]半导体结构的制作方法及其结构

说明书

本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及结构，包括提供衬底、有源区以及隔离结构；图形化有源区以及隔离结构，形成字线沟槽，字线沟槽侧壁露出有源区以及隔离结构；对字线沟槽侧壁露出的有源区以及隔离结构进行至少一次圆滑化处理，以使剩余有源区及隔离结构具有第一高度差；圆滑化处理包括：刻蚀字线沟槽侧壁露出的隔离结构，以使隔离结构露出第一厚度的有源区；对露出的有源区进行氧化处理，以将第二厚度的有源区转化为氧化层，且氧化层在衬底表面的正投影的形状为台阶状；去除氧化层；在形成第一高度差之后，形成填充满字线沟槽的字线，本申请实施例通过形成有源区与隔离结构的高度差从而形成性能更优的半导体结构。

技术领域

本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法及其结构。

背景技术

存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，其广泛应用于各种电子产品中。存储器按照是否可以直接被中央处理器读取，可以分为内存和外存，内存又可以分为动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)及静态随机存储器SRAM(StaticRandom Access Memory)等。

存储器中通常包括：存储电容器以及与存储电容器相连的存储晶体管，存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，栅极用于控制源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线。

发明内容

本申请实施例提供一种半导体结构的制作方法及其结构，至少有利于提高半导体结构的导电能力。

根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相互间隔排布的有源区以及位于所述有源区之间的隔离结构；图形化所述有源区以及所述隔离结构，形成字线沟槽，所述字线沟槽沿第一方向延伸，所述字线沟槽侧壁露出所述有源区以及所述隔离结构；对所述字线沟槽侧壁露出的所述有源区以及所述隔离结构进行至少一次圆滑化处理，以使在第二方向上剩余的所述有源区及所述隔离结构具有第一高度差，所述第二方向平行于所述衬底且垂直于所述第一方向；所述圆滑化处理包括：刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构，以使所述隔离结构在所述第二方向上露出第一厚度的所述有源区；对露出的所述有源区进行氧化处理，以将第二厚度的所述有源区转化为氧化层，且所述氧化层在所述衬底表面的正投影的形状为台阶状；去除所述氧化层；在形成所述第一高度差之后，形成填充满所述字线沟槽的字线。

另外，所述氧化处理对露出的所述有源区的顶面的氧化速率与对露出的所述有源区的侧壁的氧化速率相同。

另外，所述氧化处理的方法包括：原位水汽生长以形成所述氧化层。

另外，采用热氧化工艺进行所述氧化处理。

另外，第一次所述圆滑化处理形成的所述氧化层在所述衬底表面的正投影的形状为U型。

另外，所述圆滑化处理包括，采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构。

另外，所述隔离结构的材料为氧化硅，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液体为氢氟酸溶液。

另外，所述湿法刻蚀工艺的工艺时长为10s～30s。

另外，所述第一厚度的厚度的范围为1nm～3nm。

另外，采用同一工艺步骤，进行前一次所述圆滑化处理中去除所述氧化层的步骤以及后一次所述圆滑化处理中刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构的步骤。

另外，所述圆滑化处理的次数为2～10次。

另外，形成所述字线的工艺步骤包括：形成填充满所述字线沟槽的导电膜；回刻蚀所述导电膜，形成字线导电层；形成字线保护层，所述字线保护层位于所述字线导电层表面且填充满所述字线沟槽。