[发明专利]半导体结构的制作方法及其结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相互间隔排布的有源区以及位于所述有源区之间的隔离结构；图形化所述有源区以及所述隔离结构，形成字线沟槽，所述字线沟槽沿第一方向延伸，所述字线沟槽侧壁露出所述有源区以及所述隔离结构；

对所述字线沟槽侧壁露出的所述有源区以及所述隔离结构进行至少一次圆滑化处理，以使在第二方向上所述有源区及所述隔离结构具有第一高度差，所述第二方向平行于所述衬底且垂直于所述第一方向；所述圆滑化处理包括：

刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构，以使所述隔离结构在所述第二方向上露出第一厚度的所述有源区；

对露出的所述有源区表面进行氧化处理，以将第二厚度的所述有源区转化为氧化层，且所述氧化层在所述衬底表面的正投影的形状为台阶状；

去除所述氧化层；

在形成所述第一高度差之后，形成填充满所述字线沟槽的字线。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述氧化处理对露出的所述有源区的顶面的氧化速率与对露出的所述有源区的侧壁的氧化速率相同。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述氧化处理的方法包括：原位水汽生长以形成所述氧化层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用热氧化工艺进行所述氧化处理。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，第一次所述圆滑化处理形成的所述氧化层在所述衬底表面的正投影的形状为U型。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述圆滑化处理包括，采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液体为氢氟酸溶液。

8.如权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的工艺时长为10s～30s。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一厚度的厚度的范围为1nm～3nm。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用同一工艺步骤，进行前一次所述圆滑化处理中去除所述氧化层的步骤以及后一次所述圆滑化处理中刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构的步骤。

11.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述圆滑化处理的次数为2～10次。

12.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述字线的工艺步骤包括：

形成填充满所述字线沟槽的导电膜；

回刻蚀所述导电膜，形成字线导电层；

形成字线保护层，所述字线保护层位于所述字线导电层表面且填充满所述字线沟槽。

13.如权利要求12所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在刻蚀所述字线沟槽侧壁露出的所述隔离结构的工艺步骤中，还对所述隔离结构顶面进行刻蚀，剩余所述隔离结构顶面与相邻的所述有源区围成凹陷区；形成所述字线保护层的工艺步骤中，所述字线保护层还填充满所述凹陷区。

14.一种半导体结构，其特征在于，如上述权利要求1至13任一项所述的制作方法形成的半导体结构。