[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202110790428.0 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113517337B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李宗翰;廖君玮 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/768;H01L23/48;H10B12/00;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；多个掺杂区，位于所述衬底内，且位于所述栅极结构的两侧；所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区掺杂离子的浓度大于所述第二掺杂区掺杂离子的浓度；所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁；电接触层，所述电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触，且所述电接触层的顶面高于所述衬底的表面；介质层，所述介质层填充于所述电接触层和所述栅极结构之间。本发明实施例有利于提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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