[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；

多个掺杂区，位于所述衬底内，且位于所述栅极结构的两侧；

所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区掺杂离子的浓度大于所述第二掺杂区掺杂离子的浓度；所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁；

电接触层，所述电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触，且所述电接触层的顶面高于所述衬底的表面；

介质层，所述介质层填充于所述电接触层和所述栅极结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电接触层包括第一电接触层和第二电接触层，所述第一电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触；

所述第二电接触层位于所述第一电接触层上，在垂直于所述栅极结构侧壁的方向上，所述第二电接触层与所述栅极结构的距离，大于所述第一电接触层与所述栅极结构的距离。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电接触层的顶面不高于所述衬底的表面；

所述第二电接触层远离所述栅极结构的侧壁与所述第一电接触层远离所述栅极结构的侧壁齐平，在垂直于所述栅极结构侧壁的方向上，所述第二电接触层的宽度小于所述第一电接触层的宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的整个侧壁相接触。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在所述掺杂区侧壁的延伸方向上，所述第二电接触层的长度小于等于所述第一电接触层的长度。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电接触层的材料和所述第二电接触层的材料相同。

7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括沿远离所述栅极结构侧壁方向依次排布的第一介质层和第二介质层；

所述第一介质层远离所述栅极结构的侧壁与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁齐平；

所述第二介质层位于所述第一介质层和所述第二电接触层之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电接触层的宽度在垂直于所述衬底表面的方向上不变。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂区和所述第一掺杂区依次沿远离所述栅极结构侧壁的方向排布。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区形成于所述第二掺杂区之中，且所述第二掺杂区远离所述栅极结构的侧壁和所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁齐平。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电接触层还包括：金属半导体化合物层，所述金属半导体化合物层的材料的电阻率大于所述第一掺杂区的材料的电阻率，且所述金属半导体化合物层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触。

12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底和栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；

对所述衬底进行离子注入以在所述衬底内形成多个掺杂区，所述掺杂区位于所述栅极结构的两侧；

所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区掺杂离子的浓度大于所述第二掺杂区掺杂离子的浓度；所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁；

去除部分所述衬底，形成沟槽，所述沟槽暴露出所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁；

形成电接触层，所述电接触层填充满所述沟槽，且与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触，所述电接触层的顶面高于所述衬底的表面；

形成介质层，所述介质层填充于所述电接触层和所述栅极结构之间。