[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；多个掺杂区，位于所述衬底内，且位于所述栅极结构的两侧；所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区掺杂离子的浓度大于所述第二掺杂区掺杂离子的浓度；所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁；电接触层，所述电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触，且所述电接触层的顶面高于所述衬底的表面；介质层，所述介质层填充于所述电接触层和所述栅极结构之间。本发明实施例有利于提高半导体结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着集成电路技术的快速发展，集成电路中器件的密集度越来越高，半导体器件的特征尺寸不断减小，特别是有效栅长(effective gate length)的缩短，短沟道效应(Short-channel effects)导致的源漏区漏电问题，对器件可靠性提出了挑战。

如何改善半导体结构中栅极结构和源漏区漏电流的问题，提高半导体器件的可靠性，已成为本领域技术人员亟待解决的一个重要问题。

发明内容

本发明实施例通过一种半导体结构及其形成方法，有利于解决半导体结构中栅极结构和源漏区漏电流的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；多个掺杂区，位于所述衬底内，且位于所述栅极结构的两侧；所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区掺杂离子的浓度大于所述第二掺杂区掺杂离子的浓度；所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁；电接触层，所述电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触，且所述电接触层的顶面高于所述衬底的表面；介质层，所述介质层填充于所述电接触层和所述栅极结构之间。

另外，所述电接触层包括第一电接触层和第二电接触层，所述第一电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触；所述第二电接触层位于所述第一电接触层上，在垂直于所述栅极结构侧壁的方向上，所述第二电接触层与所述栅极结构的距离，大于所述第一电接触层与所述栅极结构的距离。

另外，所述第一电接触层的顶面不高于所述衬底的表面；所述第二电接触层远离所述栅极结构的侧壁与所述第一电接触层远离所述栅极结构的侧壁齐平，在垂直于所述栅极结构侧壁的方向上，所述第二电接触层的宽度小于所述第一电接触层的宽度。

另外，所述第一电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的整个侧壁相接触。

另外，在所述掺杂区侧壁的延伸方向上，所述第二电接触层的长度小于等于所述第一电接触层的长度。

另外，所述第一电接触层的材料和所述第二电接触层的材料相同。

另外，所述介质层包括沿远离所述栅极结构侧壁方向依次排布的第一介质层和第二介质层；所述第一介质层远离所述栅极结构的侧壁与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁齐平；所述第二介质层位于所述第一介质层和所述第二电接触层之间。

另外，所述电接触层的宽度在垂直于所述衬底表面的方向上不变。

另外，所述第二掺杂区和所述第一掺杂区依次沿远离所述栅极结构侧壁的方向排布。

另外，所述第一掺杂区形成于所述第二掺杂区之中，且所述第二掺杂区远离所述栅极结构的侧壁和所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁齐平。