[发明专利]半导体存储器的制作方法及半导体存储器在审
| 申请号： | 202110779768.3 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN115605018A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孙静;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器的制作方法及半导体存储器，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器良品率低的技术问题。该半导体存储器的制作方法包括：提供基底，基底内设有多个间隔设置的有源区，有源区包括第一接触区和第二接触区；在每个第二接触区上形成凸起；在基底上形成多条间隔设置的位线结构；形成覆盖位线结构和基底的第一隔离层，第一隔离层的每个填充孔暴露一个凸起，且凸起暴露在填充孔内的表面积大于填充孔在基底上的正投影与第二接触区的重合面积；在填充孔内形成导线，导线电连接凸起。通过在基底上形成凸起，且凸起与导线电连接，在增大导线与凸起的接触面积的同时减小填充孔的深度，形成在填充孔内的导线的孔洞或缝隙较少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
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