[发明专利]半导体存储器的制作方法及半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内设有多个间隔设置的有源区，所述有源区包括第一接触区和位于所述第一接触区外的第二接触区，所述第二接触区暴露于所述基底的表面；

在每个所述第二接触区上形成凸起；

在所述基底上形成多条间隔设置的位线结构，每条所述位线结构至少电连接一个所述第一接触区；

形成覆盖所述位线结构和所述基底的第一隔离层，所述第一隔离层内设有多个填充孔，每个所述填充孔暴露一个所述凸起，且所述凸起暴露在所述填充孔内的表面积大于所述填充孔在所述基底上的正投影与所述第二接触区的重合面积；

在所述填充孔内形成导线，所述导线电连接所述凸起。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述位线结构沿第一方向延伸；

以平行于所述第一方向的平面为截面，所述凸起的截面形状为弓形。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述凸起在所述基底上的正投影至少覆盖所述第二接触区。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述凸起在所述基底上的正投影的边缘与所述第二接触区的边缘之间的距离为3-5nm。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，在每个所述第二接触区上形成凸起的步骤包括：

在每个所述第二接触区上外延生长，形成所述凸起。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述凸起的材质与所述有源区的材质相同，所述凸起和所述有源区中掺杂有预设离子，且所述凸起的掺杂浓度大于所述有源区的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述第一接触区暴露于所述基底的表面；

在每个所述第二接触区上形成凸起的同时，还在每个所述第一接触区上形成凸起。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述基底内还形成有沿第二方向延伸的字线结构，所述字线结构将每个所述有源区的所述第一接触区和所述第二接触区隔开，所述第一接触区和所述第二接触区呈点阵式排布。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，在所述基底上形成多条间隔设置的位线结构，每条所述位线结构至少连接一个所述第一接触区的步骤包括：

在所述基底上形成堆叠的第一绝缘层、第二隔离层和第一导电层，所述第一绝缘层覆盖所述凸起；

在所述第一导电层、所述第二隔离层和所述第一绝缘层内形成位线接触窗，所述位线接触窗贯穿所述第一导电层、所述第二隔离层和所述第一绝缘层且延伸至所述基底，所述位线接触窗暴露所述第一接触区；

在所述位线接触窗内形成位线接触，并去除所述第二隔离层上的所述第一导电层和所述位线接触，保留的所述位线接触与所述第二隔离层齐平；

在所述位线接触和所述第二隔离层上形成堆叠的第二导电层和第三隔离层，所述第二导电层覆盖所述位线接触和所述第二隔离层；

刻蚀所述第三隔离层、所述第二导电层、所述第二隔离层和所述位线接触，形成沿第一方向延伸的位线结构，且所述位线结构穿过位于所述第一方向上的多个所述第一接触区。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述第二导电层包括形成在所述位线接触上的钛层、形成在所述钛层上的金属化合物层，以及形成在所述金属化合物层上的钨层。