[发明专利]晶圆测试结构及其制作方法、晶圆有效
申请号: | 202110779761.1 | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN113517260B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 汪海;许杞安 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/3205;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 孙静;臧建明 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请提供一种晶圆测试结构及其制作方法、晶圆,涉及半导体技术领域,用于解决晶圆测试结构所占用空间较大的技术问题,该晶圆测试结构包括:多个待测电阻、第一测试垫和多个第二测试垫;其中,多个待测电阻层叠设置,且相邻的两个待测电阻之间设置有绝缘层;多个待测电阻的第一端分别与第一测试垫电连接,多个待测电阻与多个第二测试垫一一对应,且每个待测电阻的第二端电连接相对应的一个第二测试垫。通过将各待测电阻的一端共接,将各待测电阻的另一端分别引出并连接第二测试垫,使得各待测电阻共用一个第一测试垫,在保证各待测电阻可以正常测量的基础上,减少了第一测试垫和第二测试垫的总数量,从而减少了测试结构所占用的空间。 | ||
搜索关键词: | 测试 结构 及其 制作方法 晶圆 | ||
【主权项】:
暂无信息
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