[发明专利]半导体功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110740270.6 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113644055A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李明珠;蔡小五;曾传滨;李晓静;赵发展 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法，其中所述半导体功率器件包括：衬底、形成于所述衬底之上的至少一个接触区、形成于所述接触区上表面的引出、形成于所述引出之上的通孔结构；其中，所述通孔结构包括第一金属层和第二金属层，在所述第一金属层和所述第二金属层之间填充隔离介质层，并使用预设结构材料连接所述第一金属层和所述第二金属层，以在流经所述半导体功率器件的电流过载时利用所述预设结构材料的电流材料影响特性对所述半导体功率器件进行短路保护。采用本申请，能起到高效地栅源或漏源短路保护作用，满足半导体功率器件的高可靠性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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