[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110709967.7 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN114068480A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 林昌杰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一通道区、多个第一杂质区、一栅极介电层、一栅极下导电层、多个第一接触点、多个可编程隔离层以及一上导电层；该通道区位在该基底中；所述杂质区位在该基底中，且分别位在该通道区的两端上；该栅极介电层位在该通道区上；该栅极下导电层位在栅极介电层上；所述第一接触点分别位在所述第一杂质区上；所述可编程隔离层分别位在所述第一接触点上；该上导电层位在所述可编程隔离层上，且电性连接到该栅极下导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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