[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110705317.5 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113644044A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括：第二线路层；第一线路层，通过多个凸块接合至第二线路层的顶面，第一线路层具有线路密集区和线路疏离区；通孔，穿过第一线路层的线路疏离区以将第一线路层电连接至第二线路层。本发明的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以优化半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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