[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明提供了一种半导体结构，包括：第二线路层；第一线路层，通过多个凸块接合至第二线路层的顶面，第一线路层具有线路密集区和线路疏离区；通孔，穿过第一线路层的线路疏离区以将第一线路层电连接至第二线路层。本发明的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以优化半导体结构的性能。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术

因应高阶终端产品所需，封装件(PKG)尺寸越来越大，输入/输出(I/O)数越来越多，基板层数也越来越多，因此使用混合扇出式基板技术满足高阶产品需求。扇出式基板是透过粘合层去结合扇出线路层与基板，再通过通孔连通线路层与基板之间的电性通道。

发明内容

针对相关技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以优化半导体结构的性能。

为实现上述目的，本发明提供了一种半导体结构，包括：第二线路层；第一线路层，通过多个凸块接合至第二线路层的顶面，第一线路层具有线路密集区和线路疏离区；通孔，穿过第一线路层的线路疏离区以将第一线路层电连接至第二线路层。

在一些实施例中，多个凸块位于线路密集区下方。

在一些实施例中，线路疏离区中介电层的体积与线路疏离区的体积的比率大于89.83％，线路密集区中介电层的体积与线路密集区的体积的比率小于89.83％。

在一些实施例中，线路疏离区位于线路密集区的周围。

在一些实施例中，第二线路层中内埋有复数个电子元件，电子元件电连接至第一线路层。

在一些实施例中，电子元件为晶片。

在一些实施例中，复数个电子元件位于线路密集区下方。

在一些实施例中，还包括：填充材料，位于第一线路层和第二线路层之间，通孔穿过填充材料。

在一些实施例中，填充材料围绕多个凸块。

在一些实施例中，通孔是热通孔。

本申请的实施例还提供一种形成半导体结构的方法，包括：提供第二线路层；将第一线路层通过多个凸块接合至第二线路层，第一线路层具有线路密集区和线路疏离区；形成穿过第一线路层的线路疏离区的通孔，通孔电连接至第二线路层。

在一些实施例中，第二线路层具有位于第二线路层的上表面处的多个接垫，多个凸块和多个接垫一一对应地连接。

在一些实施例中，多个凸块是位于线路密集区下方的多个焊球。

在一些实施例中，在将第一线路层通过多个凸块接合至第二线路层时，填充材料形成在第一线路层和第二线路层之间，填充材料围绕多个凸块。

在一些实施例中，通孔还穿过填充材料以电连接至第二线路层。

在一些实施例中，线路疏离区位于线路密集区的周围。

在一些实施例中，第二线路层内埋有复数个电子元件，复数个电子元件位于线路密集区下方。

在一些实施例中，复数个电子元件通过多个凸块电连接至线路密集区。

在一些实施例中，形成通孔的步骤包括：使用激光钻孔工艺形成穿过线路疏离区的开孔，并在开口中填充导电材料以形成通孔。

在一些实施例中，通孔电连接至第二线路层中的导电柱。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。