[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110703436.7 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN114078821A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 徐嘉祥 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/64;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一介电层、一栓塞以及一导电聚合物的着陆垫；该介电层设置在该基底上；该栓塞设置在该介电层中；该导电聚合物的着陆垫设置在该介电层上。该方法包括：提供一基底；形成具有一栓塞的一介电层在该基底上；执行一蚀刻制程，以移除该介电层的一部分，进而暴露该栓塞的一突出部；形成一导电聚合物层，以覆盖介电层与该突出部；以及执行一热处理，以自对准方法形成一着陆垫在该介电层上。导电聚合物的该着陆垫包括该栓塞的一突出部、一第一硅化物层以及一第二硅化物层；该第一硅化物层设置在该突出部上；该第二硅化物层设置在该突出部的一侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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