[发明专利]半导体元件及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一介电层、一栓塞以及一导电聚合物的着陆垫；该介电层设置在该基底上；该栓塞设置在该介电层中；该导电聚合物的着陆垫设置在该介电层上。该方法包括：提供一基底；形成具有一栓塞的一介电层在该基底上；执行一蚀刻制程，以移除该介电层的一部分，进而暴露该栓塞的一突出部；形成一导电聚合物层，以覆盖介电层与该突出部；以及执行一热处理，以自对准方法形成一着陆垫在该介电层上。导电聚合物的该着陆垫包括该栓塞的一突出部、一第一硅化物层以及一第二硅化物层；该第一硅化物层设置在该突出部上；该第二硅化物层设置在该突出部的一侧壁上。

技术领域

本申请案主张2020年8月13日申请的美国正式申请案第16/992,986号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开是关于一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有导电聚合物的一着陆垫的半导体元件，以及该半导体元件的制备方法。

背景技术

半导体元件是使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，是增加不同的问题。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率以及可靠度方面的挑战。

上文的「先前技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「先前技术」说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的「先前技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一基底；一介电层，设置在该基底上；一栓塞，设置在该介电层中，其中该栓塞具有一突出部，该突出部具有一第一宽度；以及一着陆垫，设置在该介电层上，其中该着陆垫包含导电聚合物，且该着陆垫具有一第二宽度，该第二宽度是较大于该突出部的该第一宽度。

在本公开的一些实施例中，该着陆垫还包括一阻障层，该阻障层位在该突出部与该第二硅化物层之间。

在本公开的一些实施例中，该导电聚合物层包含石墨烯(graphene)。

在本公开的一些实施例中，该导电聚合物层包含共轭聚合物(conjugatedpolymer)。

在本公开的一些实施例中，该共轭聚合物包含聚苯乙烯磺酸盐(polyethylenediox ythiophene，PEDOT)或聚苯胺(polyaniline，PANI)。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括一电容接触点，是位在该基底上，该着陆垫设置在该电容接触点上，该电容接触点具有一颈部以及一头部，该头部位在该颈部上，其中该头部的一上宽度是较大于该颈部的一上宽度，且该着陆垫的该第二宽度是较大于该头部的该上宽度。

在本公开的一些实施例中，该头部的该上宽度是较大于该头部的一下宽度。

在本公开的一些实施例中，该颈部的该上宽度是大致相同于该头部的一下宽度。

在本公开的一些实施例中，该头部具有一弯曲侧壁。

在本公开的一些实施例中，该头部具有锥形轮廓。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括：一位元线接触点与一位元线，该位元线接触点设置在该基底上，该位元线设置在该位元线接触点上，其中该位元线为一波状条纹(undulating stripe)，是在位在该基底上的二相邻电容接触点之间延伸；以及一电容结构，设置在该着陆垫上。