[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110609507.7 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN115425008A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李宗翰;刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，包括半导体基体和测试元件组，测试元件组包括：第一金属层，第一金属层位于半导体基体上，第一金属层形成有预留空间，预留空间贯通第一金属层；第二金属层，第二金属层位于第一金属层的上方，且与第一金属层间隔设置；硅通孔，硅通孔位于半导体基体内，且穿过预留空间，硅通孔与第二金属层相连接；其中，硅通孔的截面积小于预留空间的截面积，以使得硅通孔与第一金属层相间隔。通过在第一金属层上形成有预留空间，从而可以使得硅通孔穿过预留空间后与第二金属层相连接，并保证硅通孔和第一金属层不连接，从而可以通过测试设备与第二金属层相连接，以实现对硅通孔的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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