[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110541205.0 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113488459A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王令骅;沈明宗 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；第一重布线层，第一管芯的背侧附接到第一重布线层；第二重布线层，连接至第一管芯的前侧；第二管芯，位于第一管芯和第二重布线层之间；引脚，设置在第一管芯和第二管芯周围，引脚的一端连接到第一重布线层且引脚的另一端到第二重布线层。第一管芯的背侧与引脚的一端的表面不齐平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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