[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110541205.0 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113488459A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王令骅;沈明宗 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一管芯，具有前侧和与所述前侧相对的背侧；
第一重布线层，所述第一管芯的所述背侧附接到所述第一重布线层；
第二重布线层，连接至所述第一管芯的所述前侧；
第二管芯，位于所述第一管芯和所述第二重布线层之间；以及
引脚，设置在所述第一管芯和所述第二管芯周围，所述引脚的一端连接到所述第一重布线层且所述引脚的另一端到所述第二重布线层；
其中，所述第一管芯的所述背侧与所述引脚的所述一端的表面不齐平。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
模制物，位于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间且包围所述第一管芯和所述第二管芯；
其中，所述引脚的所述一端的表面与所述模制物的表面齐平。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
管芯附接膜，位于所述第一重布线层和所述第一管芯之间，所述第一管芯的所述背侧通过所述管芯附接膜附接到第一重布线层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述引脚的高度大于所述第一管芯与所述第二管芯的厚度的和。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述引脚的高度大于700微米。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一管芯具有连接到所述第二重布线层的导电柱，其中，所述导电柱围绕所述第二管芯设置。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述导电柱的连接到所述第二重布线层的表面与所述引脚的所述另一端的表面齐平。
8.一种半导体结构，其特征在于，包括：
管芯，具有前侧和与所述前侧相对的背侧；
重布线层，连接至所述管芯的所述前侧；
导线架，跨过所述管芯并连接到所述重布线层，所述管芯的所述背侧连接到所述导线架。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
管芯附接膜，位于所述导线架和所述管芯之间，所述管芯的所述背侧通过所述管芯附接膜附接到所述导线架。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述管芯具有导电柱，所述导电柱连接到所述重布线层。
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