[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；第一重布线层，第一管芯的背侧附接到第一重布线层；第二重布线层，连接至第一管芯的前侧；第二管芯，位于第一管芯和第二重布线层之间；引脚，设置在第一管芯和第二管芯周围，引脚的一端连接到第一重布线层且引脚的另一端到第二重布线层。第一管芯的背侧与引脚的一端的表面不齐平。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在扇出叠层封装(FOPOP，Fan-OutPackage on Package)产品中，目前其中高导电柱制程的深宽比极限约为1:10(例如，70μm/700μm)，而一般FOPOP管芯的厚度约为500μm，因此高度为700μm的高导电柱可以符合当前FOPOP需求。然而目前针对效能提高，会有堆叠管芯需求(增加被动元件或是滤波器堆叠在另一管芯上)，此时堆叠管芯整体的厚度会超过700μm甚至达到1000μm以上。因此，FOPOP的高导电柱制程良率会无法满足堆叠管芯封装产品的需求。

发明内容

针对相关技术中的上述问题，本申请提出一种半导体结构及其形成方法。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；第一重布线层，第一管芯的背侧附接到第一重布线层；第二重布线层，连接至第一管芯的前侧；第二管芯，位于第一管芯和第二重布线层之间；以及引脚，设置在第一管芯和第二管芯周围，引脚的一端连接到第一重布线层且引脚的另一端到第二重布线层；其中，第一管芯的背侧与引脚的一端的表面不齐平。

在一些实施例中，半导体结构还包括：模制物，位于第一重布线层和第二重布线层之间且包围第一管芯和第二管芯；其中，引脚的一端的表面与模制物的表面齐平。

在一些实施例中，半导体结构还包括：管芯附接膜，位于第一重布线层和第一管芯之间，第一管芯的背侧通过管芯附接膜附接到第一重布线层。

在一些实施例中，引脚的高度大于第一管芯与第二管芯的厚度的和。

在一些实施例中，引脚的高度大于700微米。

在一些实施例中，第一管芯具有连接到第二重布线层的导电柱，其中，导电柱围绕第二管芯设置。

在一些实施例中，导电柱的连接到第二重布线层的表面与引脚的另一端的表面齐平。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种半导体结构，包括：管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；重布线层，连接至管芯的前侧；导线架，跨过管芯并连接到重布线层，管芯的背侧连接到导线架。

在一些实施例中，半导体结构还包括：管芯附接膜，位于导线架和管芯之间，管芯的背侧通过管芯附接膜附接到导线架。

在一些实施例中，管芯具有导电柱，导电柱连接到重布线层。

在一些实施例中，半导体结构还包括：模制物，位于重布线层和导线架之间且包围管芯。

在一些实施例中，管芯的背侧与导线架直接接触。

在一些实施例中，导线架具有连接到重布线层的引脚，引脚邻近管芯的侧壁是倾斜的。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在导线架上提供第一管芯，其中，导线架具有凸出的引脚，第一管芯位于引脚之间；形成覆盖第一管芯和引脚的模制物；进行平坦化操作使得引脚由模制物暴露并且引脚与模制物的表面齐平。

在一些实施例中，在形成模制物之前还包括：在第一管芯上形成第二管芯。

在一些实施例中，第一管芯具有导电柱，其中，导电柱围绕第二管芯设置。