[发明专利]半导体装置与其制作方法在审
| 申请号： | 202110457644.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314526A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 林士尧;林志翰;张书维;蔡雅怡;杨宜伟;古淑瑗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置与其制作方法。半导体装置包括第一半导体鳍状物沿着第一方向延伸。半导体装置包括第二半导体鳍状物亦沿着第一方向延伸。半导体装置包括介电结构位于第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间。半导体装置包括栅极隔离结构，垂直地位于介电结构上。半导体装置包括金属栅极层沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向，其中金属栅极层包括越过第一半导体鳍状物的第一部分，与越过第二半导体鳍状物的第二部分。栅极隔离结构使金属栅极层的第一部分与第二部分彼此分开，并包括底部延伸至介电结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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