[发明专利]半导体装置与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一半导体鳍状物，沿着一第一方向延伸；

一第二半导体鳍状物，亦沿着该第一方向延伸；

一介电结构，位于该第一半导体鳍状物与该第二半导体鳍状物之间；

一栅极隔离结构，垂直地位于该介电结构上；

一金属栅极层，沿着一第二方向延伸，且该第二方向垂直于该第一方向，其中该金属栅极层包括越过该第一半导体鳍状物的一第一部分，与越过该第二半导体鳍状物的一第二部分，

其中该栅极隔离结构使该金属栅极层的该第一部分与该第二部分彼此分开，并包括一底部延伸至该介电结构中。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该介电结构包括亦沿着该第一方向延伸的一介电鳍状物。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该介电结构包括一浅沟槽隔离结构以埋置该第一半导体鳍状物与该第二半导体鳍状物的个别下侧部分。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该底部具有一弧形为主的下表面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一栅极间隔物，其中该栅极间隔物包括沿着平行于该第二方向的该金属栅极层的侧壁延伸的第一部分，以及沿着平行于该第二方向的该栅极隔离结构的侧壁延伸的第二部分，其中该栅极间隔物的第二部分沿着该第一方向的厚度小于该栅极间隔物的第一部分沿着该第一方向的厚度。

6.一种半导体装置，包括：

一第一晶体管，形成于一基板上并包括：

一第一导体通道；以及

一金属栅极层的一第一部分，位于该第一导体通道上；

一第二晶体管，形成于该基板上并包括：

一第二导体通道；以及

该金属栅极层的一第二部分，位于该第二导体通道上；

一介电结构，位于该第一导体通道与该第二导体通道之间：以及

一栅极隔离结构，垂直地位于该介电结构上，其中该栅极隔离结构使该金属栅极层的该第一部分与该第二部分彼此隔离，且该栅极隔离结构的一下表面垂直地低于该介电结构的上表面。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，该介电结构包括一浅沟槽隔离结构以埋置该第一导体通道与该第二导体通道的个别下侧部分。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，该介电结构包括自该基板凸起的一介电鳍状物。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其中，该栅极隔离结构的下表面具有弧形为主的轮廓。

10.一种半导体装置的制作方法，包括：

形成沿着一横向方向延伸的一第一半导体鳍状物与一第二半导体鳍状物于一基板上，其中该第一半导体鳍状物与该第二半导体鳍状物彼此隔有一介电结构；以及

形成一栅极隔离结构以垂直地位于该介电结构上，其中该栅极隔离结构分隔一金属栅极层的一第一部分与一第二部分，其中该金属栅极层的该第一部分位于该第一半导体鳍状物上，该金属栅极层的该第二部分位于该第二半导体鳍状物上，且该栅极隔离结构包括一底部延伸至该介电结构中。