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[发明专利]设计规则检查违规预测系统和方法-CN201910931841.7有效
发明人：庄易霖;林士尧;黄思茹;陈尹安;洪士峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：提供了用于在对布置布局执行路由之前预测布置布局中的系统设计规则检查(DRC)违规的系统和方法。系统DRC违规预测系统包括DRC违规预测电路。DRC违规预测电路接收与布置布局相关联的布置数据。DRC违规预测电路检查与布置布局相关联的布置数据，并且布置数据可以包括与布置布局的多个区域相关联的数据，并且DRC违规预测电路可以逐个区域地检查布置布局的多个区域。DRC违规预测电路预测由于布置布局的后续路由而在布置布局中是否存在一个或多个系统DRC违规。
设计规则检查违规预测系统方法

[发明专利]静态电压（SIR）下降违规预测系统和方法-CN201910923375.8有效
发明人：庄易霖;林士尧;黄思茹;陈尹安;洪士峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：提供了用于在对CTS布局执行路由之前预测时钟树合成(CTS)布局中的静态电压(SIR)下降违规的系统和方法。静态电压(SIR)下降违规预测系统包括SIR下降违规预测电路。SIR下降违规预测电路接收与CTS布局相关联的CTS数据。SIR下降违规预测电路检查与CTS布局相关联的CTS布局数据，并且CTS布局数据可以包括与CTS布局的多个区域相关联的数据，并且多个区域可以被逐个区域地检查。SIR下降违规预测电路预测在CTS布局中是否由于CTS布局的后续路由而存在一个或多个SIR下降违规。
静态电压 sir 下降违规预测系统方法

[发明专利]均匀度调整方法、均匀度调整装置及使用其的电子装置-CN202210087858.0在审
发明人：邱怡雯;林士尧;陈君辅;钟隆里;廖振宁 -专利权人：苏州佳世达电通有限公司;佳世达科技股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F3/14 文献下载
摘要：本发明提供一种均匀度调整方法、均匀度调整装置及使用其的电子装置，包含：设置角度感测器于显示器上；放置该显示器于旋转轴上，该显示器面对量测设备；以该量测设备量测该显示器的画面于使用角度下的均匀度，其中，调整该显示器至第一使用角度并静置一段时间，使该显示器的均匀度在该第一使用角度下具有第一均匀度校正参数；以及储存有关该第一使用角度及该第一均匀度校正参数的对应表于该显示器中。本发明可根据事先量测好的多组不同使用角度下的均匀度校正参数，来动态调整显示器的均匀度，一旦显示器的使用角度符合设定，即可通过查表方式得到均匀度校正参数，改变色度均匀度及亮度均匀度，以达到较佳视觉效果。
均匀调整方法装置使用电子

[发明专利]双向蓝牙传输胎压侦测系统-CN202210873932.1在审
发明人： 林士尧 -专利权人：系统电子工业股份有限公司
申请日： 2022-07-23 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B60C23/04 文献下载
摘要：一种双向蓝牙传输胎压侦测系统，其包括主机、蓝牙胎压侦测器以及车辆收发器，主机与车辆收发器电性连接，车辆收发器与蓝牙胎压侦测器双向蓝牙封包传输，蓝牙胎压侦测器包括有定位程式与胎况程式，主机透过车辆收发器发出蓝牙控制封包至数个蓝牙胎压侦测器的定位程式运作与停止，以及限制胎况程式，如此主机借由车辆收发器与蓝牙胎压侦测器的双向蓝牙封包传输，能改善现有技术胎压侦测器仅能单向传送定位资料上的使用问题。
双向蓝牙传输侦测系统

[发明专利]双向蓝牙传输胎压侦测系统及其方法-CN202210869970.X在审
发明人：游智为;林士尧 -专利权人：系统电子工业股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B60C23/04 文献下载
摘要：一种双向蓝牙传输胎压侦测系统及其方法，该系统包括有蓝牙胎压侦测器与收发主机，且两者的双向蓝牙讯号传输借以完成定位与胎况侦测。由收发主机的蓝牙控制着蓝牙胎压侦测器的定位程式的运作与停止，以及限制蓝牙胎压侦测器胎况程式封包传输。借以能改善现有技术胎压侦测器仅能单向传送定位资料上的使用问题。
双向蓝牙传输侦测系统及其方法

[实用新型]半导体装置-CN202222210150.8有效
发明人：高魁佑;林士尧;陈振平;邱志忠;杨政谕;曾科嘉;黄宪中;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个通道层相互垂直分离。半导体装置还包括一主动栅极结构，主动栅极结构包括一下部和一上部。所述下部环绕所述通道层中的各个通道层。半导体装置还包括一栅极间隔物沿着所述主动栅极结构的所述上部的一侧壁延伸，所述的栅极间隔物具有一底表面。再者，一虚置栅极介电层设置在所述栅极间隔物和所述通道层的一最顶部的通道层之间，所述的虚置栅极介电层接触所述最顶部的通道层的一顶表面、所述栅极间隔物的所述底表面以及所述主动栅极结构的所述侧壁。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210706183.3在审
发明人： 林士尧;陈振平;游家豪;李筱雯;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：说明一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210679160.8在审
发明人： 林士尧;高魁佑;陈振平;邱志忠;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。半导体装置包括：栅极结构，包括下部以及上部。下部包绕每个半导体层。半导体装置包括：栅极间隔物，沿着栅极结构的上部的侧壁延伸，并且包括第一层以及第二层。第一层接触侧壁的第一部分，并且第二层接触侧壁的第二部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210677620.3在审
发明人： 林士尧;高魁佑;吕威良;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板、鳍状物、栅极结构及第一源极/漏极结构。鳍状物形成于基板上并沿着第一方向延伸。栅极结构跨过鳍状物并沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。第一源极/漏极结构沿着第一方向耦接至鳍状物的第一末端。栅极结构包括沿着第一方向朝第一源极/漏极结构凸起的第一部分。凸起的第一部分的尖端边缘垂直高于栅极结构的下表面。
半导体装置

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210670355.6在审
发明人：高魁佑;林士尧;陈振平;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体结构的制造方法包含在制造过程期间选择性使用包覆层，以提供临界尺寸均匀度。包覆层可在主动通道结构中形成凹口之前形成，或是可在以介电材料填充主动通道结构中的凹口之后形成。这些技术可用于半导体结构中，例如集成电路中实现的全绕式栅极晶体管结构。
半导体结构制造方法

[发明专利]传输线、电子装置及电子设备系统-CN202110468212.2在审
发明人：廖振宁;陈君辅;林士尧;钟隆里 -专利权人：苏州佳世达电通有限公司;佳世达科技股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01R31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种传输线、电子装置以及电子设备系统，电子设备系统包含电子装置以及第一传输线，电子装置具有第一插口，第一插口具有第一组连接端子及第二组连接端子，第一组连接端子用以接收电讯号，第二组连接端子用以接收电力；第一传输线具有第一接头，第一接头具有第三组连接端子以及第四组连接端子；第一接头以第一连接角度插入第一插口时，第三组连接端子对应连接第一组连接端子以传送电讯号，第四组连接端子对应连接第二组连接端子以传送电力；当第一接头以第二连接角度插入第一插口时，第一传输线不传送电讯号及电力，第一连接角度与第二连接角度相反。本发明可以避免讯号源端无法提供足够电力造成电子装置无法动作的问题。
传输线电子装置电子设备系统

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210610840.4在审
发明人：张书维;林士尧;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包括沿着第一方向形成第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物于基板上。方法包括沿着第一方向形成介电鳍状物于第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间。方法包括沿着第二方向形成虚置栅极结构以跨过第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与介电鳍状物，且第二方向垂直于第一方向。方法包括进行多个阶段的蚀刻制程，移除介电鳍状物上的虚置栅极结构的一部分以形成沟槽。每一阶段含有非等向蚀刻与等向蚀刻的组合，使沟槽的个别内侧侧壁之间沿着第二方向的距离变化在阀值内。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210626197.4在审
发明人： 林士尧;王梓仲;林志翰;古淑瑗;张铭庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括基板。半导体装置包括介电鳍状物，其形成于基板上并沿着第一方向延伸。半导体装置包括栅极隔离结构垂直地位于介电鳍状物上。半导体装置包括栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。栅极结构包括隔有栅极隔离结构与介电鳍状物的第一部分与第二部分。栅极结构的第一部分具有第一鸟嘴轮廓，且栅极结构的第二部分具有第二鸟嘴轮廓。第一鸟嘴轮廓与第二鸟嘴轮廓指向彼此。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210577919.1在审
发明人： 林士尧;李筱雯;蔡雅怡;张书维;林志翰;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括在基底上设置一隔离区域。多个通道自基底延伸并穿过隔离区域，此些通道包括一有源通道和一非有源通道。一虚置鳍部设置在隔离区域上且位于有源通道和非有源通道之间。一有源栅极设置在有源通道和非有源通道的上方且接触隔离区域。一介电材料延伸穿过有源栅极并接触虚置鳍部的顶部。此非有源通道是一最接近介电材料的非有源通道。此有源通道的长轴在第一方向上延伸。此有源栅极的长轴在第二方向上延伸。此有源通道从基底沿着第三方向延伸。介电材料更靠近非有源通道而不是更靠近有源通道。
半导体装置

[发明专利]电子装置-CN201811233964.5有效
发明人：赖自坚;林士尧;林东庆 -专利权人：仁宝电脑工业股份有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种电子装置，包括一第一机体、一第二机体、一铰链结构、一枢转托架及一第三机体。铰链结构枢接于第一机体与第二机体，而使第二机体适于沿一轴心相对第一机体转动。枢转托架包括一枢接部及一固定部，其中枢接部枢设于铰链结构。第三机体固定于枢转托架的固定部，而使第三机体适于沿轴心相对第一机体转动。
电子装置

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