[发明专利]半导体结构的加工方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110451764.2 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN112992668B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 白龙刚;惠利省;于良成;浦栋;张松涛;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 李青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体结构制备工艺技术领域，尤其是涉及一种半导体结构的加工方法及半导体结构。加工方法包括在沉积有氮化硅层的堆叠结构上形成光阻层；在掩模版上方设置第一光源和第二光源，第一光源以第一入射角对光阻层进行曝光，第二光源以第二入射角对光阻层进行曝光；显影以形成燕尾槽；以燕尾槽槽口为掩模，对氮化硅层进行等离子体刻蚀；对光阻层进行第一次等离子体处理，以剩余光阻层为掩模，对位于光阻层外部的氮化硅层进行等离子体刻蚀，以在氮化硅层的开口处形成第一个台阶结构；对第N次等离子体处理后剩余的光阻层进行第N+1次处理，以在氮化硅层的开口处形成第N+1个台阶结构；在具有多个台阶的氮化硅层表面形成金属层而不易断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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