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[发明专利]桥梁施工设施和物料的定位方法、装置及计算机存储介质-CN202310533310.9在审
发明人：李恒;高晓明;么学春;于良成;王晨;崔奔奔 -专利权人：中交建筑集团东南建设有限公司;中交建筑集团有限公司;华侨大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06V10/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种桥梁施工设施和物料的定位方法、装置及计算机存储介质，属于设施定位技术领域。包括以下步骤：获取语义分割数据集；利用语义分割数据集对语义分割模型进行训练，得到最佳语义分割模型；根据最佳语义分割模型对采集的施工现场的点云数据进行语义分割，并基于快速定位算法对施工现场的设施和物料进行定位；根据快速定位算法的定位结果生成可视化结果。该方法能够在搭配无人机采集现场数据的基础上快速定位所有设施和物料位置并对每个类别中的所有物体进行计数；避免了人工巡检这类劳动密集型工作；可以用于定期的安全检查，能够降低事故发生率。
桥梁施工设施物料定位方法装置计算机存储介质

[发明专利]一种道桥工地台风预警期安全防控方法及系统-CN202310533309.6在审
发明人：李恒;高晓明;么学春;于良成;王晨;崔奔奔 -专利权人：中交建筑集团东南建设有限公司;中交建筑集团有限公司;华侨大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06Q10/0635 文献下载
摘要：本发明公开了一种道桥工地台风预警期安全防控方法及系统，属于道桥施工技术领域，方法步骤如下：获取道桥工地现场的点云数据，并对点云数据进行预处理，得到预处理点云数据；基于最佳语义分割模型对预处理点云数据进行语义分割，输出每个点的语义分割标签；选取目标检测物体，根据输出的语义分割标签调用与目标检测物体相对应的该类别物体进行隐患检测，判断目标检测物体是否存在安全隐患；若不存在隐患，则输出检查结果，若存在隐患，则根据检测结果自动从道桥工地台风预警期安全防范措施数据库中调用对应的措施。本发明将深度学习模型应用于施工环境安全检查，能够快速实现道桥工地自动化安全检测。
一种工地台风预警安全方法系统

[发明专利]光刻胶去除工艺及半导体制造工艺-CN202210412459.7有效
发明人： 于良成;惠利省;杨国文 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶去除工艺及半导体制造工艺，涉及半导体制造工艺技术领域。该光刻胶去除工艺包括：剥离衬底上的光刻胶并得到附着有残留光刻胶的衬底；将附着有残留光刻胶的衬底放入腔室内，并将腔室内的环境温度调节至大于或等于预设温度，再向腔室内持续通入惰性气体，同时每隔第一时长向腔室内通入含氢气体以去除衬底上的残留光刻胶。本发明提供的光刻胶去除工艺利用大于或等于预设温度(预设温度可以为290℃‑310℃)的环境温度和含氢气体可以有效去除残留光刻胶，且间断通入含氢气体，可以在去除光刻胶的同时防止衬底长时间持续处于高温高比例含氢气体环境而被损伤，进而可以提升产品良率。
光刻去除工艺半导体制造

[发明专利]光刻胶去除方法及半导体器件制造方法-CN202210411034.4在审
发明人： 于良成;杨国文;惠利省 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶去除方法及半导体器件制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。该光刻胶去除方法包括：将器件的光刻胶剥离，得到附着有残留光刻胶的器件；将附着有残留光刻胶的器件置于腔室内，再将腔室内的环境温度调节至第一温度，环境压力调节至第一压力，并向腔室内通入第一流量的含氢气体以软化器件的残留光刻胶；将腔室内的环境温度调高至第二温度，环境压力调高至第二压力，并向腔室内通入第二流量的含氢气体以去除残留光刻胶；第二流量小于第一流量。该光刻胶去除方法利用含氢气体先在较低的第一温度下软化残留光刻胶再在较高的第二温度下去除残留光刻胶，不仅可以提升处理速率，且可以防止器件因长时间处于高温环境而被损伤。
光刻去除方法半导体器件制造

[发明专利]一种工地台风预警期安全隐患快速识别方法及系统-CN202210188089.3在审
发明人： 于良成;王晨;李长太;唐宇彤;张清峰;杨挺杰;杨槐;吴马保;詹朝曦 -专利权人：华侨大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种工地台风预警期安全隐患快速识别方法及系统，涉及风险监测领域。本发明包括以下步骤：采集待监测室内外环境信息；对待监测室内外环境信息进行点云建模，生成室内外环境点云模型；基于室内外环境点云模型完成安全隐患自动检测，并将检测到的隐患显示于室内外环境点云模型上；利用GUI根据显示于室内外环境点云模型上的隐患构建灾害识别平台。本发明可有效协助施工管理人员在24小时台风紧急预警期间自动快速应变。
一种工地台风预警安全隐患快速识别方法系统

[发明专利]半导体结构的加工方法及半导体结构-CN202110451764.2有效
发明人：白龙刚;惠利省;于良成;浦栋;张松涛;杨国文 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构制备工艺技术领域，尤其是涉及一种半导体结构的加工方法及半导体结构。加工方法包括在沉积有氮化硅层的堆叠结构上形成光阻层；在掩模版上方设置第一光源和第二光源，第一光源以第一入射角对光阻层进行曝光，第二光源以第二入射角对光阻层进行曝光；显影以形成燕尾槽；以燕尾槽槽口为掩模，对氮化硅层进行等离子体刻蚀；对光阻层进行第一次等离子体处理，以剩余光阻层为掩模，对位于光阻层外部的氮化硅层进行等离子体刻蚀，以在氮化硅层的开口处形成第一个台阶结构；对第N次等离子体处理后剩余的光阻层进行第N+1次处理，以在氮化硅层的开口处形成第N+1个台阶结构；在具有多个台阶的氮化硅层表面形成金属层而不易断裂。
半导体结构加工方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202110451699.3有效
发明人：白龙刚;惠利省;于良成;浦栋;张松涛;杨国文 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构加工技术领域，尤其是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。制备方法包括：提供一沉积有氮化硅层的叠层结构，在氮化硅层的上表面形成光阻层；掩模版与光阻层的上表面之间呈第一倾角设置，采用入射方向垂直于掩模版的板面的光对光阻层进行第一次曝光；掩模版与光阻层的上表面之间呈第二倾角设置，采用入射方向垂直于掩模版的板面的光对光阻层进行第二次曝光；显影以形成燕尾槽；对光阻层进行加热，使燕尾槽的开口处的光阻层软化回流，以使燕尾槽的两个槽壁形成弧形侧壁；对光阻层的顶部拐角处进行修饰，对氮化硅层进行处理，以在氮化硅层中形成具有平滑拐角的开口；并在氮化硅层的表面形成导电金属层。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202110213213.2在审
发明人： 于良成;惠利省;杨国文 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：一种半导体器件的制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制作方法包括：在衬底上形成电流阻挡层，其中，衬底上具有多个呈间隔设置的沟槽，相邻两个沟槽之间的衬底形成衬底柱；在形成有电流阻挡层的衬底上形成第一光刻胶层；在形成有第一光刻胶层的衬底上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上对应衬底柱的投影位置通过刻蚀工艺形成第一开口；在第一光刻胶层上对应第一开口通过刻蚀工艺形成第二开口；在电流阻挡层上对应第二开口通过刻蚀工艺去除衬底柱顶部的电流阻挡层以形成半导体器件的电流注入窗口。该半导体器件的制作方法能够解决现有技术中因覆盖于衬底柱的侧壁上方的电流阻挡层被大量刻蚀而引起侧面漏电的问题。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种半导体器件制备方法-CN202110332054.8有效
发明人： 于良成;惠利省;李靖;杨国文 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在铝镓砷基板上依次形成氧化层和图案化光刻胶层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层。采用氩气生成的等离子体分别对图案化光刻胶层的侧壁沿垂直铝镓砷基板的方向进行修正和对位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层进行预轰击。然后在含有氩气的环境中，接着采用氯化硼去除经预轰击后的氧化层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的铝镓砷基板，能够兼顾物理轰击和化学作用，使得图案化光刻胶层的侧壁更陡直，铝镓砷基板表面氧化物去除更彻底，提高后续对铝镓砷基板进行主刻蚀时的均匀性和刻蚀垂直度，从而提高器件性能。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构-CN202110122311.5有效
发明人：白龙刚;于良成;张松涛;苏朋;杨国文 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体制备技术领域，半导体结构制备方法包括如下步骤：形成包括砷化镓层和铝镓砷层的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓层进行刻蚀，形成贯穿砷化镓层的第一沟槽；利用等离子刻蚀方式对铝镓砷层进行刻蚀，在铝镓砷层内形成第二沟槽；去除掩模版，采用等离子体刻蚀由砷化镓层的上表面与第一沟槽内壁形成的第一拐角，以及由铝镓砷层的上表面和第二沟槽的内壁形成的第二拐角；使用氮等离子体处理第一沟槽的内壁和底部、第二沟槽的内壁和底部、砷化镓层的上表面；采用原子层沉积的方式在过渡层上方形成第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体结构的加工方法及半导体结构-CN202110122312.X有效
发明人：白龙刚;于良成;张松涛;苏朋;杨国文 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的加工方法及半导体结构，涉及半导体结构加工技术领域，加工方法包括如下步骤：形成包括砷化镓部和铝镓砷部的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓部进行刻蚀，在砷化镓部内形成贯穿砷化镓部的上部凹槽；利用等离子刻蚀方式对铝镓砷部进行刻蚀，在铝镓砷部内形成与上部凹槽连通的中部凹槽；在中部凹槽的周向侧壁上形成第一级侧墙结构，第一级侧墙结构底部具有开口，以第一级侧墙结构为掩模利用等离子刻蚀方式对中部凹槽的底面进行刻蚀，从而形成下部凹槽；利用等离子体轰击砷化镓部的上表面；采用原子层沉积的方式在砷化镓部的上表面，以及总槽体的侧壁和底面上形成次级氮化硅层。
半导体结构加工方法

[发明专利]砷化镓基半导体器件的制造方法-CN202011468551.2有效
发明人： 于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基半导体器件的制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法包括：将砷化镓基底放入酸溶液中进行清洗；向经过清洗的砷化镓基底表面通入流动的氨气，并使氨气进行等离子反应，以去除砷化镓基底表面的氧化物；在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法，在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜之前，利用氨气的等离子反应去除砷化镓基底表面的氧化物，并在砷化镓基底上形成完整的氮氢化学键，从而可以得到表面粗糙的稳态砷化镓基底，使得制备在砷化镓基底上的氮化硅保护膜不易于脱落，提高了产品良率。
砷化镓基半导体器件制造方法

[发明专利]一种基板刻蚀方法-CN202011494499.8有效
发明人： 于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板刻蚀方法，涉及半导体技术领域。基板刻蚀方法包括：在基板的表面设置多层掩模结构，并在多层掩模结构上形成沿基板和多层掩模结构的设置方向投影对应的多个开口；对基板与多个开口对应的局部表面进行第一预处理以去除局部表面的杂质；对进行过第一预处理的局部表面进行刻蚀以在基板上形成与多个开口对应的预设沟槽。上述方法通过在基板表面设置多层掩模结构，并以形成多个开口后的多层掩模结构为掩模对基板进行刻蚀，以保证多层掩模结构上的开口不会因变形而影响预设沟槽的形成；同时，在对基板刻蚀前，增加可去除基板表面杂质的步骤，以防止预设沟槽受基板表面杂质的影响导致预设沟槽底部微凸起的缺陷。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种氨基功能化铅金属-有机框架材料及其制备方法和应用-CN201910601347.4在审
发明人：于子涵;王霞;范卫东;于良成 -专利权人： 于良成
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氨基功能化的铅基金属‑有机框架材料及其制备方法和应用，属于新材料技术领域。采用氨基功能化的三羧酸配体和金属铅盐作为原料，以N,N‑二甲基甲酰胺作为溶剂，在高压反应釜中进行恒温反应，制备条件温和，操作方法简单，所生成的物质为淡黄色透明的块状晶体，具有规则的氨基修饰的纳米笼结构，孔径尺寸在0.43nm，制备的MOFs材料可用于高效分离C₃/C₂/C₁化合物，对实现轻烃化合物的选择性吸附分离具有重要意义。
氨基功能化制备方法和应用有机框架材料新材料技术领域二甲基甲酰胺高压反应釜选择性吸附氨基修饰高效分离恒温反应块状晶体制备条件重要意义淡黄色金属铅纳米笼铅金属三羧酸透明的溶剂可用配体铅基轻烃制备金属

[实用新型]用于太阳能电池片扩散工艺炉口引流和收集废液的接液盘-CN201120464637.8有效
发明人：崔鹏超;詹功炜;陈高潮;任威;廖任超;于良成 -专利权人：浙江正国太阳能科技有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开的用于太阳能电池片扩散工艺炉口引流和收集废液的接液盘，包括盘体，该盘体尾端设有两只支脚将盘体支撑呈倾斜状，盘体前部呈梯形状且端部设有开口；该盘体材质为石英。本实用新型所得的用于太阳能电池片扩散工艺炉口引流和收集废液的接液盘，与现有技术相比具有的优点是：1、可以将废液引流出去，缩短维护的时间，具有比较现实的意义。2、面积相对较大，能将废液基本全部接住，流到外面去，避免废液滴到硅片上，造成硅片的污染，现有的接液盘是平放的，没有引流，大部分废液会滴到铁板上堆积，造成铁板腐蚀。3、结构简单，便于制备，成本较低，且具有良好的可操作性、实用性，适于推广应用。
用于太阳能电池扩散工艺引流收集废液接液盘

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