[发明专利]半导体结构的加工方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括以下步骤：

S1.在沉积有氮化硅层（20）的堆叠结构上形成光阻层（10），所述光阻层（10）位于所述氮化硅层（20）的上表面；

S2.在所述光阻层（10）的上方形成掩模版（103），所述掩模版（103）与所述光阻层（10）之间间隙设置，在所述掩模版（103）的上方设置第一光源（101）和第二光源（102），所述第一光源（101）以第一入射角对位于所述掩模版（103）一侧的所述光阻层（10）进行曝光，所述第二光源（102）以第二入射角对位于所述掩模版（103）另一侧的所述光阻层（10）进行曝光；

S3.对曝光后的光阻层（10）进行显影处理，以形成燕尾槽（104）；

S4.以所述燕尾槽（104）的槽口为掩模，以垂直于所述光阻层（10）的方向对所述氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀；

S5.对所述光阻层（10）进行第一次等离子体处理，去除设定厚度的光阻层（10），以剩余的光阻层（10）为掩模，以垂直于所述光阻层（10）的方向对位于所述光阻层（10）外部的氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀，以在所述氮化硅层（20）的开口处形成第一个台阶结构；

S6.对第N次等离子体处理后剩余的光阻层（10）进行第N+1次等离子体处理，N的取值范围为[1，2，3，……，n]，n为大于等于1的正整数，去除设定厚度的光阻层（10），以第N+1次等离子体处理后剩余的光阻层（10）为掩模，以垂直于所述光阻层（10）的方向对位于所述光阻层（10）外部的氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀，以在所述氮化硅层（20）的开口处形成第N+1个台阶结构；其中，以第N次等离子体处理后剩余的光阻层（10）为掩模，以垂直于所述光阻层（10）的方向对位于所述光阻层（10）外部的氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀所刻蚀的氮化硅层（20）的厚度与以第N+1次等离子体处理后剩余的光阻层（10）为掩模，以垂直于所述光阻层（10）的方向对位于所述光阻层（10）外部的氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀所刻蚀的氮化硅层（20）的厚度不相等；

S7.去除所述光阻层（10），并对所述氮化硅层（20）的上表面进行等离子体轰击；

S8.在所述氮化硅层（20）的表面以及所述堆叠结构的外露表面形成金属层（50）。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的加工方法，其特征在于，在步骤S2中，所述第一入射角的角度为15°~40°，所述第二入射角的角度为15°~40°。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的加工方法，其特征在于，在步骤S4中，采用含氟气体对所述氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀，其中，CHF₃和O₂的体积比为（3~8）:1，压力为6~10mTorr，射频功率为100~180W，蚀刻速率保持在2~6Ångstrom/s。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的加工方法，其特征在于，在步骤S5中，采用等离子体对所述光阻层（10）进行部分去除，其中，射频功率为30~50W，压力为6~10mTorr，等离子体流量为15~25ccm，光阻去除速率保持在10~30nm/min；时间为1~3min，以使单次光阻去除量为10~90nm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的加工方法，其特征在于，在步骤S5中，对位于所述光阻层（10）外部的氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀的刻蚀深度为200~300Ångstrom；

在步骤S6中，对位于所述光阻层（10）外部的氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀的刻蚀深度为200~300Ångstrom。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的加工方法，其特征在于，在步骤S7中，控制所述氮化硅层（20）的去除量为50~100Ångstrom，以对所述台阶结构进行圆滑处理，并在所述氮化硅层（20）的表面形成凹坑结构。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的加工方法，其特征在于，所述光阻层（10）为负光刻胶层，所述负光刻胶层的厚度为1.5~2.5μm。