[发明专利]一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法有效
| 申请号： | 202110437505.4 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113106531B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 时康;冯康康 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 王灿 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本发明通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的阴极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在阴阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本发明从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电化学 刻蚀 金刚石 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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- 2017-09-04 - 2018-01-23 - C25F3/12
- 本发明公开了一种防腐多层薄膜材料的制备方法，该工艺利用稳压恒流、阳离子交换、旋涂法等技术将多种功能性溶液组分涂基底上，通过卤钨灯管热源形成的热场退火处理得到防腐多层薄膜材料。制备而成的防腐多层薄膜材料，其制作工艺简单、质地轻薄、具有优越的磁性能和电性能，具有较好的应用前景。
- 一种电解池-201720230669.9
- 曾光;庞元龙;杨娜;刘许强;杨桂霞;蒋树斌;敖银勇 - 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
- 2017-03-10 - 2017-10-24 - C25F3/12
- 本实用新型公开了一种电解池，包括电解池主体（1），在电解池主体（1）的一端可拆卸的设置有电解池盖（2），在所述电解池盖（2）上设置有电极孔（3）和固定装置；在电解池主体（1）的另一端可拆卸的设置有电解池底座（8），在电解池底座（8）上设置有金属板电极（11）和用于引出导线（13）的导线孔（10）；优化电化学腐蚀制备多孔硅材料用电解池的结构，集导电性、耐腐蚀性、防渗漏性、可方便控制阴极与阳极的相对位置等优点于一体，具有结构简单、体积小巧、清洗容易等优点。
- 由冶金级硅或精炼冶金级硅制造基于硅的纳米颗粒的方法-201280022365.3
- V.莱森科;J.克莱姆;M.梅德加奥伊 - 国立里昂应用科学学院;国家科学研究中心;阿波朗.索拉尔公司
- 2012-03-09 - 2017-07-11 - C25F3/12
- 本发明涉及通过基材(7)的电化学蚀刻来制造基于硅的纳米颗粒的方法，特征在于所述基材由冶金级硅或精炼冶金级硅制成，所述基材具有大于0.01%的杂质含量。
- 电化学蚀刻设备与电镀设备-201610011730.0
- 王珽玉 - 财团法人工业技术研究院
- 2016-01-08 - 2017-05-10 - C25F3/12
- 本发明提供了一种电化学蚀刻设备与电镀设备，其中所述电化学蚀刻设备包括蚀刻溶液喷洒头、基板载台、第一与第二电极。第一电极设置于蚀刻溶液喷洒头内，通过第一电极提供电流至蚀刻溶液喷洒头内的蚀刻溶液。基板载台则相对蚀刻溶液喷洒头配置。第二电极设置于基板载台上。当一基板被置于第二电极上时，基板的第一表面与第二电极电性接触，且自蚀刻溶液喷洒头喷洒出的蚀刻溶液能自然流经基板的第二表面并自基板载台的边缘流下。
- 用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法-201510099634.1
- 许高斌;奚野;陈兴;马渊明 - 合肥工业大学
- 2015-03-07 - 2017-04-19 - C25F3/12
- 针对现有制备SOI硅片上多孔硅上的不足，本发明提供一种用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法。本发明的双槽装置包括外槽体、内槽体、下层垫圈、上层垫圈、槽体螺栓、螺母、垫圈螺栓；本发明的制备方法包括备片、硅片安置、装置安装、电化学腐蚀四步。有益的实际效果本发明可以专用于SOI硅片上多孔硅的制备，也可以实现普通硅片上多孔硅的制备，并且多孔硅制备的形状可控。
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