专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种超薄忆阻器及其制备方法-CN202310297202.6在审
  • 葛军;陈莞君;马泽霖;曹栩诚;刁山青;刘志宇;潘书生 - 广州大学
  • 2023-03-22 - 2023-07-18 - H10N70/20
  • 本发明涉及神经形态计算芯片技术领域,尤其是涉及一种超薄忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括底电极、阻变层和顶电极,其中,所述底电极的材料为硼重掺杂p型Si,所述阻变层采用SiOx,所述顶电极选用可吸附结合氧的金属材料。本发明采用硼重掺杂p型Si作为底电极,其表面能够在有氧环境中自然形成超薄SiOx层,形成条件简单,降低了制备难度;以可吸附结合氧的金属材料作为顶电极,Sn、Ti、Al金属材料的导电性能优良,而且能够在阻变层SiOx上提供氧存储层;制备得到超薄忆阻器具有优异的数据保持能力、高稳定性、低开关速度,能够成功模拟生物突触STDP学习规则,具有优异的综合性能。
  • 一种超薄忆阻器及其制备方法
  • [发明专利]一种高性能硅基忆阻器PUF及其制备方法-CN202310156166.1在审
  • 葛军;刁山青;马泽霖;林浩;潘书生;张国琴 - 广州大学
  • 2023-02-22 - 2023-06-23 - H10N70/20
  • 本发明属于基于PUF的安全技术领域,公开了一种高性能硅基忆阻器PUF,其包括重掺杂P型含硅衬底,所述重掺杂P型含硅衬底的表面具有自氧化形成的天然氧化硅层,所述天然氧化硅层的表面设置有Ag金属层。本发明还公开了该高性能硅基忆阻器的制备方法和生成方法。本发明以重掺P++‑Si衬底上经自然氧化的SiOx为阻变层,同时采用活性金属电极Ag作为器件的顶电极,本发明利用工艺简单、成本低廉的方法制备native‑SiOx忆阻器,利用超薄的native‑SiOx忆阻器RESET后忆阻器中残余Ag团簇不同导致的器件HRS高的随机差异性作为PUF的熵源,有利于PUF的实际应用。
  • 一种性能硅基忆阻器puf及其制备方法
  • [发明专利]音网植入封胶模具-CN202211660977.7在审
  • 曹哲哲;聂龙元;潘书生 - 立讯智造科技(常熟)有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-04-25 - B29C45/26
  • 本申请涉及一种音网植入封胶模具,包括:模具主体组件,模具主体组件包括垫板结构、第一模板结构和第二模板结构,第一模板结构位于第二模板结构和垫板结构之间,第一模板结构具有闭气孔;封胶组件,封胶组件包括第一传动件、杠杆结构、第二传动件和闭气针,第一传动件的第一端穿过第一模板结构与第二模板结构相抵顶,第一传动件与杠杆结构的第一侧相配合,杠杆结构的第二端与第二传动件相配合,闭气针与第二传动件相配合,闭气针可移动地穿设在闭气孔内。本申请的技术方案有效地解决了现有技术中的音网加工时,在注射塑胶的过程中溢胶和冲胶的问题。
  • 植入模具
  • [实用新型]音网植入封胶模具-CN202223451275.6有效
  • 曹哲哲;聂龙元;潘书生 - 立讯智造科技(常熟)有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-04-07 - B29C45/26
  • 本申请涉及一种音网植入封胶模具,包括:模具主体组件,模具主体组件包括垫板结构、第一模板结构和第二模板结构,第一模板结构位于第二模板结构和垫板结构之间,第一模板结构具有闭气孔;封胶组件,封胶组件包括第一传动件、杠杆结构、第二传动件和闭气针,第一传动件的第一端穿过第一模板结构与第二模板结构相抵顶,第一传动件与杠杆结构的第一侧相配合,杠杆结构的第二端与第二传动件相配合,闭气针与第二传动件相配合,闭气针可移动地穿设在闭气孔内。本申请的技术方案有效地解决了现有技术中的音网加工时,在注射塑胶的过程中溢胶和冲胶的问题。
  • 植入模具
  • [发明专利]一种提高深紫外光电探测器性能的方法-CN202210213408.1有效
  • 潘书生;白凯磊;范梓豪;祝梓博 - 广州大学
  • 2022-03-04 - 2023-03-31 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种提高深紫外光电探测器性能的方法,首先制备CsCu2I3单晶,采用反溶剂蒸汽辅助法生长CsCu2I3单晶,将N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混匀,制得5毫升混合溶液,N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合体积比为4:1,将原料1.299g碘化铯和0.952g碘化亚铜加入到上述混合溶液中,进行搅拌,需在60℃磁力不断搅拌下直至得到清澈的溶液,将无水甲醇缓慢滴加到上述溶液中,直到白色沉淀不再消失,将饱和溶液加热蒸发获得CsCu2I3晶体。所合成的CsCu2I3晶体,然后再通过水浸泡的方法,极大提高铯铜碘CsCu2I3钙钛矿的光电响应特性,具有很高响应度和量子效率,性能优于大多已报道的全无机无铅钙钛矿光电探测器,制备方法简单,成本低,在未来光电探测应用方面有很大的潜力。
  • 一种提高深紫光电探测器性能方法
  • [发明专利]一种忆阻器及其制备方法和应用-CN202111192931.2在审
  • 葛军;马泽霖;曹栩诚;陈莞君;刁山青;潘书生 - 广州大学
  • 2021-10-13 - 2022-02-11 - H01L45/00
  • 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用,该忆阻器包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极,所述底电极为含硅衬底,所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆阻器采用天然氧化层作为阻变层,天然氧化层是由空气自然氧化形成,具有厚度薄、与含硅衬底之间几乎完美的接触界面、表面原子级别光滑、无需人工制备、成本低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势,克服了本领域普遍认为的含硅衬底表面的天然氧化层不利于忆阻器性能的技术偏见。此外,本发明中的忆阻器同时具有优异的数据保持能力、高稳定性、模拟开关特性三种性能。
  • 一种忆阻器及其制备方法应用
  • [发明专利]一种无表面配体包覆的金属铜纳米团簇的制备方法及其应用-CN201810389351.4有效
  • 潘书生;刘志宇;葛军;姚玲敏 - 广州大学
  • 2018-04-27 - 2021-06-08 - B22F9/24
  • 本发明涉及一种无表面配体包覆的金属铜纳米团簇的制备方法及其应用。所述制备方法包括以下步骤:制备金纳米颗粒溶液,然后取2~10体积份浓度为0.01~0.1mg/mL的金纳米颗粒溶液置于反应容器中,加入3~10体积份浓度为0.1~40mg/mL的氯化铜溶液,避光储存3~10分钟混合均匀;之后将金纳米颗粒和氯化铜的混合溶液置于不同波长激光辐照,将反应后的溶液离心分离,获得的固体沉淀物即为所述金属铜纳米团簇。本发明金属铜纳米团簇制备过程完全不引入表面活性剂、聚合物或者配体等,所获得金属铜纳米团簇具有显著的荧光发射性能、高氧还原电流、良好的稳定性等特点,可应用于荧光标记和电催化(例如燃料电池)领域。
  • 一种表面配体包覆金属纳米制备方法及其应用
  • [实用新型]一种用于石墨生产的混合装置-CN202021014728.7有效
  • 潘书生;耿敏伟 - 青岛佳佳新材料有限公司
  • 2020-06-05 - 2021-05-18 - B01F9/12
  • 本实用新型公开了一种用于石墨生产的混合装置,其包括外壳,所述外壳前侧壁面设有箱门,所述外壳内腔下壁面中心处装配有电机,所述外壳内腔上壁面中心处装配有连接轴,所述连接轴向下延伸贯穿混合箱上壁面,所述连接轴进入到混合箱端装配有第一齿轮,所述第一齿轮下壁面装配有搅拌轴,所述搅拌轴左右两侧设置有搅拌杆,所述混合箱内部装配有混合结构,所述混合箱左侧壁面上端开设有进料口,所述混合箱左侧壁面下端连通有出料管;该用于石墨生产的混合装置结构合理,设计新颖,通过转轴的公转,搅拌杆相对于混合箱的转动以及旋叶的自转,可以对物料进行充分的混合搅拌,使物料混合的更加充分,混合效率高,提升石墨生产完成后的质量。
  • 一种用于石墨生产混合装置

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