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[发明专利]用于从氯硅烷中去除杂质的方法和设备-CN201880069282.7有效
发明人： K·席林格;N·米伦科维奇 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：一种用于从氯硅烷中去除杂质特别是掺杂物的方法，所述方法包括以下步骤：(a)加热沉积面(3)；(b)使至少一种气态的氯硅烷混合物与加热的沉积面(3)接触，所述气态的氯硅烷混合物含有至少一种氯硅烷和至少一种杂质、特别是至少一种掺杂物；(c)通过在所述沉积面(3)上形成多晶硅沉积物来至少部分地分离杂质、特别是掺杂物，所述多晶硅沉积物中与所述杂质、特别是掺杂物一起富集；(d)导出净化的气态的氯硅烷混合物；(e)使蚀刻气体与加热的沉积面(3)接触，以便使多晶硅沉积物和杂质、特别是掺杂物回到气相，从而形成气态的蚀刻气体混合物；以及(f)导出所述气态的蚀刻气体混合物。
用于硅烷去除杂质方法设备

[发明专利]用于将多个晶种基质设置在载体元件上的方法和带有晶种基质的载体元件-CN201780068513.8有效
发明人： S·瑞伯;K·席林格 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将多个半导体晶种基质设置在载体元件上的方法，以便向晶种基质上施加半导体层，其中，所述晶种基质通过材料连接结构设置在载体元件上。本发明还涉及一种具有晶种基质的载体元件，所述晶种基质用于涂覆半导体层。
用于将多个晶种基质设置载体元件方法带有

[发明专利]用于制造晶片层的方法和载体元件-CN202080078926.6在审
发明人： S·瑞伯;N·米伦科维奇;K·席林格 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造晶片层的方法，所述方法包括以下方法步骤：A提供载体元件；B在至少一个表面上对所述载体元件进行多孔化，以便产生分离层；C通过取向附生将晶片层施加到载体元件的分离层上；以及D将晶片层从载体元件上剥离，其中，对所述载体元件重复方法步骤B至D至少一次，优选重复多次。本发明的特征在于，方法步骤A包括另外的方法步骤：A1提供载体基质；以及A2通过取向附生将晶种层施加到载体基质的至少一个表面和至少一个侧面上，以便制造所述载体元件。本发明还涉及一种用于制造晶片层的载体元件以及一种中间制品。
用于制造晶片方法载体元件

[发明专利]用于单侧蚀刻半导体衬底的装置和方法-CN201680072577.0有效
发明人： S·瑞伯;K·席林格 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C25F3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于单侧蚀刻半导体层的装置，包括：至少一个用于容纳电解液的蚀刻池；第一电极，被设置成用于在使用时与位于蚀刻池中的电解液进行电接触；至少一个第二电极，被设置成用于间接或直接地电接触半导体层；至少一个电流源，用于导电地连接至第一电极和第二电极以便产生蚀刻电流；以及至少一个输送装置，用于相对于蚀刻池来输送半导体层，使得在使用时基本上只有半导体层的要被蚀刻的蚀刻侧才能够被位于蚀刻池中的电解液所润湿。本发明的特征在于，电流源被构造成可变电流源，并且该装置还具有用于控制可变电流源的控制单元，其中该装置被设计以便能够在蚀刻过程中通过控制单元的方式使得蚀刻电流能够被自动改变。本发明还涉及一种用于单侧蚀刻半导体层的方法。
用于蚀刻半导体衬底装置方法

[发明专利]用于对工件的半导体层进行单侧蚀刻的装置和方法-CN201980033126.X在审
发明人： S·瑞伯;K·席林格;B·赖赫特;N·米伦科维奇 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于蚀刻工件的半导体层的一侧的装置，该装置包括：至少一个蚀刻池，用于容纳电解液；第一电极，被提供以用于在使用期间电接触蚀刻池中的电解液；至少一个第二电极，被提供以用于间接或直接与半导体层电接触；至少一个电功率源，用于导电地连接第一和第二电极，以产生蚀刻电流；以及至少一个运送装置，用于相对于蚀刻池来运送工件，使得在使用期间要蚀刻的半导体层蚀刻侧能通过蚀刻池中的电解液进行润湿。本发明的特征在于，运送装置具有用于工件的负压保持元件，该负压保持元件构造成通过负压将工件布置在与蚀刻侧相对的保持侧上，且第二电极设置在该负压保持元件上，使得在工件设置在负压保持元件上时通过第二电极接触工件的保持侧。本发明还涉及用于蚀刻工件的半导体层的一侧的方法。
用于工件半导体进行蚀刻装置方法

[发明专利]用于在基体上连续地气相沉积硅的方法和设备-CN201880069960.X在审
发明人： S·瑞伯;K·席林格 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于在基体上连续地气相沉积硅的方法，包括以下步骤：a)将至少一个基体送入反应室(2)；b)将工艺气体以及至少一种气态硅前体化合物通入所述反应室(2)；c)在所述反应室(2)中形成与所述气态硅前体化合物共存的至少一种硅基中间产物和所述工艺气体的气态混合物；d)通过将所述硅前体化合物和/或所述硅基中间产物在所述基体上气相沉积硅来形成硅层；e)从所述反应室(2)中导出过量的所述气态混合物；其特征在于，所述方法还包括步骤(f)，在步骤(f)中，将过量的所述气态混合物的至少一个组分返回到所述反应室(2)中，所述组分选自所述硅前体化合物、所述硅基中间产物和/或所述工艺气体，其中，将所述硅前体化合物通入所述反应室(2)中的调节方式为，在工艺气体中，所述硅基中间产物与所述硅前体化合物的摩尔比为0.2:0.8至0.5:0.5，优选为0.3:0.7至0.5:0.5，特别优选为0.5:0.5。
用于基体连续地气沉积方法设备

[发明专利]处理腔导向装置、处理腔和用于将基体支架引导至处理位置处的方法-CN201880025293.5在审
发明人： S·瑞伯;K·席林格;B·瑞卡特 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理腔导向装置，所述处理腔导向装置构造成用于沿导向方向直线引导能在所述处理腔导向装置中移动的基体支架，以利用所述基体支架向处理位置处的移动，使得处理腔导向装置和基体支架至少构成处理腔导向装置的局部的边界。本发明的特征在于，所述处理腔导向装置具有用于基体支架的滚动体支承结构和至少一个密封面，所述密封面平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在处理腔导向装置中的基体支架处于处理位置处时，密封面与基体支架隔开小于1mm的间距。本发明还涉及一种处理腔和一种用于将基体支架引导到处理位置处的方法。
处理腔导向装置基体支架处理位置密封面滚动体支承方向延伸移动隔开平行

[发明专利]用于制造半导体层的方法和装置-CN201680061610.X在审
发明人： S·瑞伯;K·席林格;F·吉伯克 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造半导体层(3)的方法，包括以下方法步骤：A.在载体基板(1)上产生脱模层(2)；B.将半导体层(3)施加到脱模层(2)上；C.将半导体层(3)从载体基板上分离。本发明的特征在于，在方法步骤A中，所述脱模层(2)被产生以至少完全覆盖载体基板的加工面，在方法步骤B中，半导体层(3)被施加以至少在所述加工面上完全覆盖脱模层(2)并与载体基板的一个或多个边缘侧面(5a，5b)部分重叠，并且在方法步骤B和C之间，在方法步骤C0中，去除半导体层(3)的与边缘侧面重叠的区域。本发明还涉及一种半导体晶圆、用于边缘修正的装置、分离单元和用于制造半导体层的装置。
半导体层载体基板脱模层施加制造半导体晶圆方法和装置边缘修正分离单元侧面加工面去除加工

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