[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110361612.3 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN115172323A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王路广 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/538 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，具有第一区、第二区以及第三区，第二区位于第一区与第三区之间，且半导体结构包括：衬底；浅沟槽隔离结构，位于衬底内，且将衬底隔离成多个有源区，第一区的有源区用于形成半导体器件；介质层，位于衬底上；通孔结构，位于第三区，且贯穿介质层与衬底；应力缓冲结构，位于第二区，包括第一缓冲掺杂区，第一缓冲掺杂区位于有源区内，且通过有源区掺杂有第一缓冲杂质形成，第一缓冲杂质的原子半径小于衬底材料的原子半径。本申请可以对通孔结构的制造过程中，衬底与连通结构之间的膨胀应力进行缓冲，从而可以有效保护第一区的半导体器件以及结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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