[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，具有第一区、第二区以及第三区，所述第二区位于所述第一区与所述第三区之间，且所述半导体结构包括：

衬底；

浅沟槽隔离结构，位于所述衬底内，且将所述衬底隔离成多个有源区，所述第一区的有源区用于形成半导体器件；

介质层，位于所述衬底上；

通孔结构，位于所述第三区，且贯穿所述介质层与所述衬底；

应力缓冲结构，位于所述第二区，包括第一缓冲掺杂区，所述第一缓冲掺杂区位于所述有源区内，且通过所述有源区掺杂有第一缓冲杂质形成，所述第一缓冲杂质的原子半径小于所述衬底材料的原子半径。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底材料包括硅，所述第一缓冲杂质包括碳和/或硼。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一缓冲掺杂区连接所述通孔结构。

4.根据权利要求1任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一缓冲掺杂区环绕所述通孔结构。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应力缓冲结构还包括至少一个缓冲窗结构，所述缓冲窗结构位于所述介质层内且与所述通孔结构之间具有间距，包括缓冲通孔结构，所述缓冲通孔结构的缓冲通孔中填充有金属插塞。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲窗结构接地。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括接地金属层结构，所述缓冲窗结构的第一端连接所述接地金属层结构。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，至少一个所述缓冲窗结构的第二端连接所述有源区。

9.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，至少一个所述缓冲窗结构的第二端连接所述第一缓冲掺杂区。

10.根据权利要求5-9任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲窗结构还包括至少一个缓冲金属层结构以及连接所述缓冲金属层结构的互连通孔结构，所述缓冲通孔结构连接所述金属层结构。

11.根据权利要求5任一项所述的半导体结构，其特征在于，缓冲窗结构环绕所述通孔结构。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应力缓冲结构还包括第二缓冲掺杂区，所述第二缓冲掺杂区位于所述介质层内，且通过所述介质层掺杂有第二缓冲杂质形成，所述介质层掺杂有所述第二缓冲杂质后形成多孔电介质材料。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述多孔电介质材料的介电常数低于所述介质层材料的介电常数。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层材料包括二氧化硅，所述第二缓冲杂质包括硼、磷、硼磷及氮中的任意一种或者几种。

15.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第二缓冲掺杂区环绕所述通孔结构。

16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述第二缓冲掺杂区布满所述第二区的介质层。

17.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一缓冲掺杂区的形成方法包括：

提供所述衬底，且在所述衬底内形成所述浅沟槽隔离结构；

对所述第二区以及所述第三区的有源区内进行第一缓冲杂质的掺杂，形成第一缓冲掺杂初始区；

于位于所述第三区的衬底以及介质层内形成所述通孔结构的通孔时，所述第一缓冲掺杂初始区被所述通孔结构的通孔穿透而形成包围且连接所述通孔结构的第一缓冲掺杂区。