[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构在审
申请号: | 202110335631.9 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN115148684A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L21/50 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 武娜 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。本申请中,半导体封装结构包括:预布线基板、第一中间封装结构、第二中间封装结构、第一包封层、第一介电层与散热器,第一中间封装结构与第二中间封装结构位于预布线基板上,并与预布线基板电连接,第一中间封装结构包括第一裸片与第一散热层,第二中间封装结构包括第二裸片与第二散热层,第一包封层位于预布线基板靠近第一中间封装结构与第二中间封装结构的一侧,散热器位于第一中间封装结构与第二中间封装结构远离预布线基板的一侧,且与第一散热层、第二散热层分别连接。本申请实施例中,通过散热器可以实现第一中间封装结构与第二中间封装结构的共同散热,可提高半导体封装结构的散热新能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子(重庆)有限公司,未经矽磐微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110335631.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:MCM封装结构及其制作方法
- 下一篇:半导体封装方法及半导体封装结构