[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

说明书

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。本申请中，半导体封装结构包括：预布线基板、第一中间封装结构、第二中间封装结构、第一包封层、第一介电层与散热器，第一中间封装结构与第二中间封装结构位于预布线基板上，并与预布线基板电连接，第一中间封装结构包括第一裸片与第一散热层，第二中间封装结构包括第二裸片与第二散热层，第一包封层位于预布线基板靠近第一中间封装结构与第二中间封装结构的一侧，散热器位于第一中间封装结构与第二中间封装结构远离预布线基板的一侧，且与第一散热层、第二散热层分别连接。本申请实施例中，通过散热器可以实现第一中间封装结构与第二中间封装结构的共同散热，可提高半导体封装结构的散热新能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

背景技术

相关技术中，半导体封装结构在工作过程中，会产生热量，如果产生的热量不及时散出，将会对半导体封装结构的工作效率以及使用寿命产生不良影响。

因此，如何使半导体封装结构产生的热量及时散出是有待解决的一个技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种半导体封装方法及半导体封装结构，可以使半导体封装结构产生的热量及时散出。

本申请实施例提供了一种半导体封装结构，包括：

预布线基板，具有预布线线路；

第一中间封装结构与第二中间封装结构，位于所述预布线基板上，所述第一中间封装结构、所述第二中间封装结构分别与所述预布线线路电连接；所述第一中间封装结构包括第一裸片与第一散热层，所述第一裸片包括正面与背面，所述第一裸片的正面与背面相对，所述第一裸片的正面面向所述预布线基板，所述第一散热层位于所述第一裸片的背面；所述第二中间封装结构包括第二裸片与第二散热层，所述第二裸片包括正面与背面，所述第二裸片的正面与背面相对，所述第二裸片的正面面向所述预布线基板，所述第二散热层位于所述第二裸片的背面；

第一包封层，位于所述预布线基板靠近所述第一中间封装结构与所述第二中间封装结构的一侧，至少包覆所述第一中间封装结构的侧面与所述第二中间封装结构的侧面；

散热器，位于所述第一中间封装结构与所述第二中间封装结构远离所述预布线基板的一侧，且与所述第一散热层、所述第二散热层分别连接。

在一个实施例中，所述第一中间封装结构的厚度与所述第二中间封装结构的厚度相同；

所述第一中间封装结构远离所述预布线基板的第一表面与所述第二中间封装结构远离所述预布线基板的第二表面齐平。

在一个实施例中，所述半导体封装结构，还包括第一介电层，所述第一介电层位于所述第一包封层靠近所述预布线基板的一侧，且至少包覆所述预布线基板的侧面；

所述预布线基板还包括第一电连接点，所述第一电连接点位于所述预布线基板远离所述散热器的一侧，所述预布线基板暴露所述第一电连接点。

在一个实施例中，所述第一裸片包括第一硅基底、第一焊垫与第一保护层，所述第一硅基底包括正面与背面，所述第一硅基底的正面面向所述预布线基板，所述第一焊垫位于所述第一硅基底的正面，所述第一保护层位于所述第一硅基底的正面，所述第一保护层包括第一保护层开口，所述第一保护层开口用于暴露所述第一焊垫；

所述第一中间封装结构还包括第二包封层、第一电连接部与第一布线层，所述第二包封层位于所述第一散热层靠近所述第一裸片的一侧，且至少包覆所述第一裸片的侧面；所述第一电连接部位于所述第一保护层开口中，所述第一布线层位于所述第一保护层远离所述第一散热层的一侧以及位于所述第二包封层远离所述第一散热层的一侧；所述第一焊垫经所述第一电连接部、所述第一布线层与所述预布线线路电连接。