[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202110255869.0 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113161321A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 梁顺鑫;蔡纯怡;张志维;黄俊贤;黄鸿仪;林耕竹;张根育;王菘豊;朱家宏;张旭凯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了用于形成配置为防止外扩散的钴原子迁移至上部金属化层中的覆盖层的方法。在一些实施例中，方法包括：在包括钌的无衬垫导电结构上沉积钴扩散阻挡层，其中，沉积钴扩散阻挡层包括形成与无衬垫导电结构自对准的钴扩散阻挡层。方法还包括：在钴扩散阻挡层上沉积具有蚀刻停止层和介电层的堆叠件；以及在堆叠件中形成开口以暴露钴扩散阻挡层。最后，方法包括：在钴扩散阻挡层上形成导电结构。本申请的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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