[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202110255869.0 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113161321A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 梁顺鑫;蔡纯怡;张志维;黄俊贤;黄鸿仪;林耕竹;张根育;王菘豊;朱家宏;张旭凯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
衬底；
第一金属化层，位于所述衬底上，其中，所述第一金属化层包括由电介质围绕的无衬垫导电结构；
覆盖层，位于所述无衬垫导电结构的顶面上；以及
第二金属化层，位于所述第一金属化层上，并且包括所述无衬垫导电结构上的导电结构，其中，所述覆盖层介于所述无衬垫导电结构的所述顶面和所述导电结构的底面之间。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述无衬垫导电结构的所述顶面位于所述电介质的顶面下方，并且其中，所述覆盖层的顶面与所述电介质的所述顶面共面。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述覆盖层具有圆顶形状。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述覆盖层的底面是平坦的。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述无衬垫导电结构的所述顶面和所述覆盖层的顶面与所述电介质的顶面不共面。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述覆盖层接触所述导电结构的底面和侧壁表面。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述覆盖层包括钨、氮化钛或氮化钽。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述无衬垫导电结构包括钌。
9.一种半导体结构，包括：
衬底；
第一金属化层，位于所述衬底上并且包括由电介质围绕的无衬垫导电结构；
覆盖层，设置在所述无衬垫导电结构的顶面上，其中，所述覆盖层具有基底大于所述无衬垫导电结构的宽度的圆顶形状；以及
第二金属化层，位于所述第一金属化层上并且包括所述无衬垫导电结构上的导电结构，其中，所述无衬垫导电结构通过所述覆盖层与所述导电结构分隔开。
10.一种形成半导体结构的方法，包括：
在包括钌的无衬垫导电结构上沉积钴扩散阻挡层，其中，沉积所述钴扩散阻挡层包括形成与所述无衬垫导电结构自对准的所述钴扩散阻挡层；
在所述钴扩散阻挡层上沉积包括蚀刻停止层和介电层的堆叠件；
在所述堆叠件中形成开口以暴露所述钴扩散阻挡层；以及
在所述钴扩散阻挡层上形成导电结构以围绕所述钴扩散阻挡层。
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