[发明专利]散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110189916.6 申请日: 2021-02-18
公开(公告)号: CN114975295A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 陈佳良;杨啓铭;林彦兆 申请(专利权)人: 创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法,散热结构包括一散热金属盖和一仿真硅晶片。散热金属盖具有一盖体与一凹陷部。凹陷部形成于盖体的一面,用以容置一热源。仿真硅晶片位于凹陷部内,仿真硅晶片的一侧固接该散热金属盖,另侧用以热耦接该热源且与该热源电性隔离。半导体封装装置包括一基板、一工作晶片、一散热金属盖及一硅材导热元件。工作晶片固设于基板上,内建有一工作电路。硅材导热元件热耦接工作晶片与散热金属盖,且与工作电路及基板电性隔离。如此,以上架构能够提高位于工作晶片与散热金属盖之间的导热界面的热传导系数,使其有效提升封装散热性能,且降低其热阻。
搜索关键词: 散热 结构 半导体 封装 装置 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司,未经创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110189916.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top