[发明专利]散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法

权利要求书

1.一种散热结构，其特征在于，包括：

一散热金属盖，具有一盖体与一凹陷部，该凹陷部形成于该盖体的一面，用以容置一热源；以及

一仿真硅晶片，位于该凹陷部内，该仿真硅晶片的一侧固接该散热金属盖，另侧用以热耦接该热源且与该热源电性隔离。

2.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，该仿真硅晶片包含：

一硅材本体，具有彼此相对的一第一面与一第二面；

多个导热通道，彼此并列于该硅材本体内，每一所述导热通道贯穿该硅材本体，且连接该硅材本体的该第一面与该第二面；

一导热层，位于该硅材本体的该第一面，且固接所述多个导热通道以及该散热金属盖；以及

多个焊球，间隔配置于该硅材本体的该第二面，每一所述焊球焊接所述多个导热通道其中之一，用以固接至该热源上。

3.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，该散热金属盖还包含：

一保护层，覆盖该盖体的该面及该凹陷部，且于该凹陷部内包覆该仿真硅晶片。

4.根据权利要求3所述的散热结构，其特征在于，还包含：

一包覆材，位于该保护层上，且围绕该热源；以及

一填充层，填充于该保护层及该包覆材之间，以及该保护层与该热源之间。

5.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，该仿真硅晶片包含碳化硅。

6.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

一基板；

一工作晶片，包含一晶片本体与一工作电路，该晶片本体固设于该基板上，该工作电路内建于该晶片本体内，且电连接该基板；

一散热金属盖；以及

一硅材导热元件，热耦接该晶片本体与该散热金属盖，且与该工作电路及该基板电性隔离。

7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其特征在于，该硅材导热元件包含：

一硅材本体，具有彼此相对的一第一面与一第二面；

多个导热通道，彼此并列于该硅材本体内，每一所述导热通道贯穿该硅材本体，且连接该硅材本体的该第一面与该第二面；以及

一导热层，位于该硅材本体的该第一面，且热耦接所述多个导热通道以及该散热金属盖。

8.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其特征在于，该硅材导热元件还包含：

至少一第一焊接凸块，位于该硅材本体的该第二面，且该第一焊接凸块热耦接所述多个导热通道；以及

该晶片本体具有至少一第二焊接凸块、多个焊球以及彼此相对的一第三面与一第四面，该第二焊接凸块位于该第三面，且焊接该第一焊接凸块，与该工作电路电性隔离，所述多个焊球位于该第四面，电连接该工作电路，且分别焊接该基板的多个焊点。

9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其特征在于，该工作晶片还包含一第一填充层，该第一填充层位于该晶片本体及该基板之间，且包围所述多个焊球与所述多个焊点；以及

该硅材导热元件还包含一第二填充层，该第二填充层受夹合于该晶片本体及该硅材本体之间，且包围所述第一焊接凸块与所述第二焊接凸块。

10.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其特征在于，该散热金属盖包含：

一盖体，具有彼此相对的一内表面与一外表面，该内表面固接至该基板上；以及

一凹陷部，形成于该盖体的该内表面，用以容纳该工作晶片与该硅材导热元件。

11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其特征在于，该散热金属盖还包含：

一保护层，覆盖该盖体的该内表面及该凹陷部，且于该凹陷部内包覆该硅材导热元件。