[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

实施方式提供一种具有良好特性且能够很好地制造的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备沿第1方向排列的多个导电层、在第1方向上延伸的第1绝缘层、设置在多个导电层与第1绝缘层之间的第1半导体层、以及设置在多个导电层与第1半导体层之间的栅极绝缘膜。多个导电层包含了在第1方向上相邻的第1导电层及第2导电层。如果将第1半导体层的与第1导电层对向的区域设为第1区域，将与第2导电层对向的区域设为第2区域，将第1区域与第2区域之间的区域设为第3区域，将第1区域的厚度设为t1，将第2区域的厚度设为t2，那么第3区域包含厚度大于t1及t2的区域，第3区域的厚度的最小值大于t1－2nm且大于t2－2nm。