[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

多个导电层，沿着与所述衬底的表面交叉的第1方向排列；

第1绝缘层，在所述第1方向上延伸；

第1半导体层，设置在所述多个导电层与所述第1绝缘层之间；以及

栅极绝缘膜，设置在所述多个导电层与所述第1半导体层之间；且

在沿着所述第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向延伸且包含所述多个导电层、所述第1绝缘层、所述第1半导体层及所述栅极绝缘膜的一部分的截面中，

所述多个导电层包含了在所述第1方向上相邻的第1导电层及第2导电层，

所述第1绝缘层具备：

第1绝缘部，在所述第2方向上具有第1宽度；以及

第2绝缘部，在所述第2方向上具有比所述第1宽度小的第2宽度，且所述第1方向上的位置与所述第1绝缘部不同；且

如果将所述第1半导体层的设置在所述第1绝缘部与所述第1导电层之间且与所述第1导电层对向的区域设为第1区域，

将所述第1半导体层的设置在所述第2绝缘部与所述第2导电层之间且与所述第2导电层对向的区域设为第2区域，

将所述第1半导体层的所述第1区域与所述第2区域之间的区域设为第3区域，

将所述第1区域的所述第1绝缘层侧的面到所述栅极绝缘膜的最短距离设为t1，

将所述第2区域的所述第1绝缘层侧的面到所述栅极绝缘膜的最短距离设为t2，那么，

所述第3区域的所述第1绝缘层侧的面包含到所述栅极绝缘膜的最短距离大于t1及t2的区域，

所述第3区域的所述第1绝缘层侧的面到所述栅极绝缘膜的最短距离大于t1－2nm且大于t2－2nm。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中在所述截面中，所述第3区域的所述第1绝缘层侧的面到所述栅极绝缘膜的最短距离与t1及t2中的至少一个相等。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

在所述截面中，

如果将所述第3区域的一部分且在所述第2方向上延伸的区域设为第4区域，

将所述第3区域的一部分且所述第1区域与所述第4区域之间的区域设为第5区域，

将所述第3区域的一部分且所述第2区域与所述第4区域之间的区域设为第6区域，那么，

所述第5区域的所述第1绝缘层侧的面包含到所述栅极绝缘膜的最短距离大于t1及t2的区域，

所述第6区域的所述第1绝缘层侧的面到所述栅极绝缘膜的最短距离大于t1－2nm且大于t2－2nm。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中在所述截面中，所述第6区域的所述第1绝缘层侧的面到所述栅极绝缘膜的最短距离与t1及t2中的至少一个相等。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体存储装置，其中

在所述截面中，如果将所述第1半导体层的设置在所述第1方向上的一端部的区域设为第7区域，那么，

所述第7区域的所述第1绝缘层侧的面包含到所述栅极绝缘膜的最短距离大于t1及t2的区域。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中在所述截面中，所述第7区域的所述第1绝缘层侧的面到所述栅极绝缘膜的最短距离大于t1－2nm且大于t2－2nm。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中在所述截面中，所述第7区域的所述第1绝缘层侧的面到所述栅极绝缘膜的最短距离与t1及t2中的至少一个相等。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，

具备第2半导体层，所述第2半导体层设置在所述衬底与所述第1半导体层之间，且连接于所述衬底及所述第1半导体层，

所述第7区域连接于所述第2半导体层。