[发明专利]半导体装置用铜合金接合线在审
| 申请号： | 202110066725.0 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112820707A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 小田大造;山田隆;江藤基稀;榛原照男;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;C21D9/52;C22C1/02;C22C1/03;C22C9/00;C22F1/02;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 张嵩;薛仑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体装置用的铜合金接合线中，实现高温高湿环境下的球部接合寿命的提高。一种半导体装置用铜合金接合线，其特征在于，总计含有0.03质量％以上3质量％以下的选自Ni、Zn、Ga、Ge、Rh、In、Ir、Pt的至少1种以上的元素(第1元素)，其余部分由Cu和不可避免杂质构成。通过含有预定量的第1元素，从而在线接合界面中抑制在高温高湿环境下容易腐蚀的金属间化合物的生成，提高球部接合寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 铜合金 接合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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