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[发明专利]Al布线材料-CN202280013331.1在审
发明人：栗原佑仁;小田大造;江藤基稀;大石良;小山田哲哉;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种兼顾芯片损伤的抑制与耐热冲击性的新Al布线材料。一种Al布线材料(方案1)，其包含Al芯材、以及被形成于该Al芯材的表面的Al被覆层，在将Al芯材的维氏硬度记为H1h(Hv)，将Al被覆层的维氏硬度记为H1s(Hv)时，满足1.2≤H1h/H1s。一种Al布线材料(方案2)，其包含Al芯材、以及被形成于该Al芯材的表面的Al被覆层，在将Al芯材的维氏硬度记为H2s(Hv)，将Al被覆层的维氏硬度记为H2h(Hv)时，满足1.2≤H2h/H2s。
al 布线材料

[发明专利]半导体装置用Al接合线-CN202280013190.3在审
发明人：须藤裕弥;宇野智裕;小山田哲哉;小田大造;江藤基稀;栗原佑仁 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种Al接合线，其在适于下一代车载的功率器件所要求的高温高湿环境中，呈现良好的高温高湿寿命。一种半导体装置用Al接合线，是包含Pd、Pt的一种以上总计3质量ppm以上500质量ppm以下的半导体装置用Al接合线，测定包含所述接合线的线轴的平行于线轴向的截面的晶体取向，结果是相对于线轴向的角度差为15度以下的＜100＞晶体取向的取向比例为30％以上90％以下。
半导体装置 al 接合

[发明专利]Al配线材料-CN202280013192.2在审
发明人： 宇野智裕;须藤裕弥;小山田哲哉;小田大造;栗原佑仁;江藤基稀 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种在半导体装置工作时的高温环境下充分得到接合部的接合可靠性的Al配线材料。Al配线材料含有Pd、Pt的一种以上，在将Pd、Pt的含量分别设为x1a[质量ppm]、x1b[质量ppm]时，满足3≦x1a≦90或10≦x1b≦250，且满足3≦(x1a+x1b)≦300，剩余部分含有Al，Al配线材料的与长度方向垂直的截面中的平均晶体粒径为3～35μm。
al 线材

[发明专利]半导体装置用Al接合线-CN202280013191.8在审
发明人：小山田哲哉;须藤裕弥;宇野智裕;小田大造;大石良;栗原佑仁 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种在第2接合部中稳定地带来良好的接合强度的半导体装置用Al接合线。一种半导体装置用Al接合线，其包含Sc、Zr、Mg中的1种以上总计0.01质量％以上且小于0.8质量％；该半导体装置用Al接合线中，对包含所述接合线的线轴的与线轴方向平行的截面的晶体取向进行了测定，结果，相对于线轴方向角度差为15度以下的＜100＞晶体取向的取向比例为30％以上90％以下。
半导体装置 al 接合

[发明专利]半导体装置用Ag合金接合线-CN202180071142.5在审
发明人：荒木典俊;大壁巧;小田大造;宇野智裕;小山田哲哉 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明提供一种在高密度安装中所需的、球接合时的球的压接形状优异的新的半导体装置用Ag合金接合线。该半导体装置用Ag合金接合线由Ag合金构成，该Ag合金含有从由Te、Bi及Sb构成的组中选择的1种以上的元素，并满足以下的条件(1)～(3)中的至少一个，(1)Te的浓度为5～500at.ppm(2)Bi的浓度为5～500at.ppm(3)Sb的浓度为5～1500at.ppm。
半导体装置 ag 合金接合

[发明专利]Al布线材料-CN202180053058.0在审
发明人： 宇野智裕;小山田哲哉;须藤裕弥;小田大造;栗原佑仁;大石良 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种会带来良好的高温可靠性，并且向装置的设置、连接时的操作性及接合性良好的新的Al布线材料。该Al布线材料的特征在于，含有Mg、Si，在将Mg的含量记为x1a[质量％]，将Si的含量记为x1b[质量％]时，0.05≤x1a≤2.5，0.02≤x1b≤1，0.1≤(x1a+x1b)≤3，还含有从由Sc、Er、Yb、Gd、Ce及Y构成的组中选择的1种以上，在将其含量的总计记为x2[质量％]时，0.001≤x2≤0.5，剩余部分包含Al。
al 布线材料

[发明专利]Al布线材料-CN202180053051.9在审
发明人： 宇野智裕;小山田哲哉;小田大造;栗原佑仁;大石良 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制常温强度的上升，并且显示出良好的高温可靠性的新的Al布线材料。该Al布线材料的特征在于，含有从由Er、Yb及Gd构成的组中选择的1种以上，在将其含量的总计记为x1[质量％]时，0.001≤x1≤0.6，剩余部分包含Al。
al 布线材料

[发明专利]半导体装置用Ag合金接合线以及半导体装置-CN202180026132.X在审
发明人：小田大造;大壁巧;江藤基稀;荒木典俊;大石良;榛原照男;宇野智裕;小山田哲哉 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种半导体装置用Ag合金接合线，其即使在使用S含量高的模塑树脂的情况下，也能够在高温环境下呈现良好的接合可靠性，并且能够抑制球接合时的芯片损伤。该Ag合金接合线的特征在于，含有：从由Pd及Pt构成的组中选择的一种以上的元素(以下，称为“第一元素”。)，以及从由P、Cr、Zr以及Mo构成的组中选择的一种以上的元素(以下，称为“第二元素”。)，在将第一元素的总计浓度设为x1[at.％]、将第二元素的总计浓度设为x2[at.ppm]时，满足0.05≦x1≦3.0，15≦x2≦700，剩余部分含有Ag。
半导体装置 ag 合金接合以及

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202180022853.3在审
发明人：江藤基稀;小田大造;宇野智裕;小山田哲哉 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种即使适用于常温下的楔接合也会呈现良好的接合性，且接合可靠性也较为优异的半导体装置用接合线。该接合线具有由Cu或Cu合金构成的芯材(以下，称为“Cu芯材”)、以及被设置于该Cu芯材的表面的含有贵金属的被覆，该线的表面中的Cu浓度为30～80at％。
半导体装置接合

[发明专利]Al接合线-CN202080098945.5在审
发明人：山田隆;西林景仁;榛原照男;小田大造;江藤基稀;小山田哲哉;小林孝之;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种Al接合线，在使用了Al接合线的半导体装置动作的高温状态下，会充分地得到接合线的接合部的接合可靠性。该Al接合线的特征在于，以质量％计，含有0.02～1％的Fe，还合计含有0.05～0.5％的Mn、Cr中的至少1种以上，剩余部分由Al及不可避免的杂质构成，Fe、Mn、Cr的固溶量的合计为0.01～1％。由于除了Fe外，还含有Mn、Cr，因而能够在固溶处理后的急冷处理中，促进Fe、Mn、Cr的固溶，因此能够发挥Fe、Mn、Cr的合计固溶量増大所导致的线的固溶强化效果、以及半导体装置的高温长时间使用中的防止再结晶进展的效果。
al 接合

[发明专利]Al接合线-CN202080098398.0在审
发明人：山田隆;西林景仁;榛原照男;小田大造;江藤基稀;小山田哲哉;小林孝之;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种Al接合线，在使用Al接合线的半导体装置工作的高温状态下，充分地得到接合线的接合部的接合可靠性。该Al接合线含有0.01～1％的Sc，还含有总计为0.01～0.1％的Y、La、Ce、Pr、Nd的至少一种以上。由此，引线的再结晶温度上升，即使在高温环境下持续使用半导体装置时，也能够抑制接合线的再结晶进行，还能够防止引线的强度降低，从而能够充分地确保高温长时间经历后的接合部的可靠性。
al 接合

[发明专利]铜接合线-CN202180015377.2在审
发明人： 宇野智裕;小山田哲哉;小田大造;下村光太;山口正 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种铜接合线，其即使减轻接合时的摩擦也呈现良好的接合性。该铜接合线的特征在于，将线表面的通过X射线光电子能谱分析(XPS：X－ray Photoelectron Spectroscopy)测定的Cu、Cu2O、CuO、Cu(OH)2的比例的总和设为100％，相对于Cu1价相当的Cu2O的比例(Cu[I])的、将Cu2价相当的CuO、Cu(OH)2合计的比例(Cu[II])的比率即Cu[II]/Cu[I]为0.8～12的范围。
接合

[发明专利]半导体装置用铜接合线及半导体装置-CN202080083559.9在审
发明人：大石良;小田大造;荒木典俊;下村光太;宇野智裕;小山田哲哉 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：提供一种提高在大气中的保管寿命的铜接合线。即，提供一种半导体装置用铜接合线，其表面的结晶晶界密度为0.6(μm/μm2)以上且1.6(μm/μm2)以下。
半导体装置接合

[发明专利]Al布线材料-CN202080069219.0在审
发明人：栗原佑仁;大石良;江藤基稀;小田大造;小山田哲哉;须藤裕弥;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种Al布线材料，其兼顾在抑制制造时成品率降低的同时抑制芯片裂纹、以及耐热冲击性。该Al布线材料至少含有Sc和Zr，将Sc的含量设为x1[重量％]、Zr的含量设为x2[重量％]时，满足0.01≦x1≦0.5，以及0.01≦x2≦0.3，剩余部分包含Al。
al 布线材料

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202010782102.9有效
发明人：小田大造;江藤基稀;斋藤和之;榛原照男;大石良;山田隆;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C22C5/04 文献下载
摘要：提供一种半导体装置用接合线，该接合线是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了在高温高湿环境中的球接合部的接合可靠性，适合于车载用装置。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述接合线包含Ge，相对于线整体，Ge的浓度为0.011质量％以上1.5质量％以下。由此，能够提高在高温高湿环境下的球接合部的接合寿命，改善接合可靠性。Pd被覆层的厚度优选为0.015～0.150μm。当接合线还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Ir、Pt中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境中的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成包含Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。
半导体装置接合

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