[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110047544.3 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113314488A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 荒井伸也 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种可抑制嵌埋有垫的绝缘膜内的缺陷的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置包含第1芯片、及与所述第1芯片贴合的第2芯片。所述第1芯片包含：衬底；逻辑电路，设置于所述衬底上；及多个第1虚设垫，配置于所述逻辑电路的上方，设置于所述第1芯片与所述第2芯片贴合而成的第1贴合面，且不与所述逻辑电路电连接。所述第2芯片包含：多个第2虚设垫，设置于所述多个第1虚设垫上；及存储单元阵列，设置于所述多个第2虚设垫的上方。所述第1贴合面中的所述第1虚设垫的被覆率在所述第1芯片的与第1端边分离的第1区域和配置于所述第1端边与所述第1区域之间的第2区域中不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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